В п бевз в г бевз: ГДЗ по Математике за 6 класс Бевз Г.П., Бевз В.Г.

Гдз математика 7 клас г.п.бевз

Скачать гдз математика 7 клас г.п.бевз PDF

Готовое домашнее задание или решебник желательно использовать каждому школьнику. По своей сути – это книга с ответами на упражнения, в той последовательно, в которой они даются в учебнике.  Ведь часто взрослые уже давно забыли школьную программу. Почему так полезны ГДЗ по алгебре, 7 класс, Бевз, и какие преимущества дают учащемуся. Как известно, списывать умудряются все школьники.

Даже родители когда-то списывали, хоть и не признаются. Только на сайте Готовые домашние задания все ГДЗ онлайн бесплатно.  Г. П. Бевз, В. Г. Бевз. Поздравляю всех посетителей сайта. Вышла первая версия браузера MirAudioBook Browser Теперь Вам не нужно искать наш сайт в закладках.  Тут представлено готові домашні завдання за підручником Алгебра Г.

П. Бевз, В. Г. Бевз 7 клас. Тільки на сайті Готові домашні завдання усі Гдз онлайн безкоштовно. Прикрепления: Картинка 1.

ГДЗ Алгебра 7 клас Бевз Авторы:Бевз Г.

П., Бевз В. Г. Издательство:Відродження, Киев. Год издания  Ответы к учебнику Алгебра 7 класс Бевз — решебник. Смотреть ГДЗ (решебник) онлайн: Розділ 1.

ЦІЛІ ВИРАЗИ№ 5 — У сьомому класі школярі починають вивчати алгебру, нову й доволі непросту науку, замість звичної математики. До і так стресової ситуації додаються ще й фізика, хімія та інші незнайомі науки. Для.  Уникнути цього семикласникам допоможуть відповіді до підручника для 7 класу Г.П. Бевз, В.Г. Бевз з алгебри. Збірник містить один або кілька варіантів рішень, детально та доступно розписаних, до усіх завдань.

Рекомендуємо до перегляду Решебник: ГДЗ до збірника задач і контрольних робіт з алгебри 7 клас А.Г. Мерзляк, В.Б. Полонський рік. Vchys: ГДЗ, Решебники, Ответы, Реферати, Твори, Презентації ГДЗ, Решебники и Ответы. Г.П. Бевз В.Г. Бевз Алгебра 7 клас Алгебра 7 клас Бевз Бевз 7 клас Алгебра 7 клас. Решебник к учебнику «Бевз Г.П. Алгебра 7 класс» В данном решебнике представлены подробные решения и выполненные упражнения всех домашних заданий и самостоятельных работ к учебнику алгебры Бевза Г.

П.

для 7 класса. Издание предназначено в первую очередь для проверки учениками собственных решений, а также для прослеживания алгоритмов выполнения наиболее сложных заданий.

В книжных магазинах вы можете приобрести Гдз по алгебре 7 класс Бевз. Наш сайт содержит все необходимые учебники, используемые в русских школах. Решебники с готовыми заданиями имеют ряд преимуществ  Кроме того, решебник по алгебре 7 класс Бевз помогает без лишних усилий, перелистывания сотен листков и поисков ответов в старых тетрадях возобновить пройденный и давно забытый материал.

Книга позволяет ликвидировать понятия «черных» и «белых» списков учеников. Список библиотечных книг, содержащих алгебру 7 класс Бевз, при наличии решебника к нему, значительно упростит Вам работу. У Вас останется свободное время для друзей, для себя, и собственных увлечений. 7 класс. бевз г.п., бевз в.г.- книгу скачать. К.: — с. Учебник для 7 класса общеобразовательных заведений. Рекомендовано Министерством образования и науки Украины.

Формат: pdf / zip.  Решение задач составлением системы уравнений Задания для самостоятельной работы Исторические сведения Основное в главе Вопросы для самопроверки Готовимся к тематическому оцениванию ЗАДАЧИ И УПРАЖНЕНИЯ ДЛЯ ПОВТОРЕНИЯУравнения Целые выражения Разложение многочленов на множители 2 70Функции Системы уравнений Задачи повышенной сложности Сведения из курса математики 5—6 классов Ответы и указания к.

Тогда Вам непременно в классе нужен ГДЗ Алгебра 7 клас Г.П. Бевз, В.Г. Бевз. Но где же его взять? Все там же, у нас на сайте. Берите в руки свои смартфоны и заходите к нам, где проверяйте верность выполнения классной работы, а уже потом сдавайте тетрадь на проверку. Абсолютно бесплатно и без регистрации Вы будете иметь доступ в любое время и в любом месте ко всем готовым домашним заданиям по всем предметам для седьмого класса.

Учитесь с удовольствием на протяжении всего этого года. Ждем Вас на нашем сайте!.

doc, djvu, rtf, PDF

Похожее:

Англ мова 7 клас воркбук

Друкований зошит з біології 7 клас задорожній

Урок природознавства 1 клас які бувають рослини

Укр мова 4 клас вашуленко 2частина гдз 2004

Підручник 7 клас нова програма з фізики божинова довгий

Скласти умову до задачі 1 клас

Мова персонажів наталки полтавки

Урок історичні пісні 8 клас

Алгебра на 7 клас стара програма автор г.

п.бевз в.г.бевз

Скачать алгебра на 7 клас стара програма автор г.п.бевз в.г.бевз txt

ГДЗ з алгебри 7 клас за підручником авторів Бевз.  Підпишись та отримуй 12 балів! ГДЗ алгебра 7 клас Бевз. Список номерів: 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 Авторы: Бевз Г. П., Бевз В. Г. Издательство учебника: Киев, «Зодіак-ЕКО».

Год издательства: Количество страниц: Формат книги: PDF. Читать онлайн и скачать бесплатно учебник Алгебра 7 клас. Бевз Г. П., Бевз В. Г. в электронном формате PDF. Смотреть учебник онлайн: загрузка Похожие записи: Физика класс. Крот Ю.Е. Хімія 7 клас. motyloptom.ru ГДЗ. 5 клас. Інформатика. Історія. Англійська мова. Етика. Математика. Німецька мова.  Клас: 7 клас. Предмет: Алгебра. Автор: Г.П. Бевз, В.Г. Бевз. Рік: NULL.

Для швидкого доступу до даного ГДЗ Вам слід додати його до закладок.

Попередне. Розв’язок до завдяння №. Наступне. Решебник по Алгебре 7 клас Бевз. Авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Издательство: Освiта Тип: Учебник. Математика делится на две дисциплины: алгебру и геометрию.  Помочь при решении задач способен сборник ГДЗ по алгебре 7 класс Бевз. В седьмом классе детям предстоит выполнять много домашнего задания, чтобы разобраться с математикой.

Они учатся решать разные упражнения: вычисление уравнений, составление уравнений по условию текстовой задачи, построение графиков линейной функции и проведение его анализа, нахождение значения сложных выражений, содержащих десятичные и обыкновенные дроби. Г. П. Бевз, В. Г. Бевз. Поздравляю всех посетителей сайта. Вышла первая версия браузера MirAudioBook Browser Теперь Вам не нужно искать наш сайт в закладках.  Тут представлено готові домашні завдання за підручником Алгебра Г. П. Бевз, В. Г.

Бевз 7 клас. Тільки на сайті Готові домашні завдання усі Гдз онлайн безкоштовно. Прикрепления: Картинка 1. 1.

Название учебника: Алгебра 7 класс. Автор: Бевз Г.П., Бевз В.Г. Издательство: Зодіак-ЕКО. Год:   Сборник задач Алгебра 7 класс Мерзляк. Мерзляк А.Г., Полонский В.Б., Рабинович Е.М., Якир М.С. Скачать.

Алгебра 7 клас Кравчук. Кравчук В., Янченко Г. Скачать. Алгебра 7 клас Мерзляк. Мерзляк А.Г., Полонський В.Б., Якір М.С. Скачать. Алгебра 7 класс Мерзляк. Мерзляк А.Г., Полонский В.Б., Якир М.С. Скачать. Алгебра 7 клас Істер. Істер О.С. Скачать. Администрация Bookforschool не несет ответственности за предоставленные материалы на сайте. Ответы к учебнику по алгебре для класса Бевз.  Авторы: Бевз Г.П., Издательство: Серия: Страна  Алгебра.

7 клас. Бевз Г. П., Бевз В. Г. рік. Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания Задания. Алгебра 7 класс Бевз Г.П. Авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г. Решебник по Алгебре для 7 класса, авторы учебника: Бевз Г.П., Бевз В.Г.

на год.

txt, rtf, djvu, rtf

Похожее:

Сценки на останній дзвоник 4 клас

Презентація на тему українська мова 7 клас

Правіла па беларускай мове 6 клас

Гельфгат збірник задач з фізики 7 клас

Ростоцька 2 клас

Гдз 7 клас з алгебри г п бевз

Скачать гдз 7 клас з алгебри г п бевз djvu

ГДЗ Алгебра 7 клас Бевз Авторы:Бевз Г. П., Бевз В. Г. Издательство:Відродження, Киев. Год издания  Ответы к учебнику Алгебра 7 класс Бевз — решебник. Смотреть ГДЗ (решебник) онлайн: Розділ 1. ЦІЛІ ВИРАЗИ№ 5 — Відповіді, ГДЗ Алгебра 7 клас Бевз — готові домашні завдання читати онлайн безкоштовно. Выберите задание. 8.  Тестовые задания 7. 1. 2. Домашні завдання▾. 3 клас. ▾. Англійська мова Інформатика Математика Німецька мова Російська мова Українська мова.  Бевз Г., Бевз В.

Видавництво: Генеза Рік: 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 ГДЗ по алгебре 7 класс Бевз Г.П. Тип: Учебник. Авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Издательство: Освiта Математика – это одна из самых сложных дисциплин школьной программы.

Для того чтобы ее понимать и иметь по ней хорошие результаты, необходимо приложить максимум усилий. Однако, несмотря на старание, сложности в понимании предметного материала все же могут возникнуть, и специалисты в таком случае советуют воспользоваться помощью «ГДЗ по алгебре 7 класс Бевз, Бевз (Освiта)». Важность изучения алгебры.  Онлайн-сборник содержит досконально расписанные и верные ответы практически ко всем заданиям учебника.

ГДЗ 7 класс» Алгебра. Решебник «Алгебра 7 клас, Г. П. Бевз, В. Г. Бевз». Идет загрузка решебника Другие решебники  Почти у каждого ученика возникают трудности при выполнении домашнего задания. Наш сервис поможет Вам в решении или проверке упражнений по предмету Алгебра. Предлагаем вам Решебник «Алгебра 7 клас, Г. П. Бевз, В. Г. Бевз», с помощью которого вы повысите свои оценки за короткий срок. Этот Решебник «Алгебра 7 клас, Г.

П. Бевз, В. Г. Бевз» будет полезен не только учащимся но и их родителям, при помощи которого они освежат в памяти знания полученные много лет назад. Готовые домашние задания по учебнику Алгебра уже просмотрело человек. Выберите задание. 8.  Тестовые задания 7. 1. 2. Дивитись онлайн та читати підручник Алгебра 7 клас Бевз в електронному вигляді безкоштовно (формат pdf, djvu).

djvu, djvu, rtf, EPUB

Похожее:

Державна підсумкова атестація 11 клас 2014 хімія

Вашуленко буквар 1 класс

Практична робота номер 1 з географії 7 клас

Гдз 7 клас українська мова робочий зошит

Курсова робота управління персоналом з прикладом міської ради

Відповіді до англійської мови 10 клас несвіт

Контрольна робота по теми числові нерівності

Гдз алгебра 8 клас бевз гдз4ю

Скачать гдз алгебра 8 клас бевз гдз4ю txt

Решебник (ГДЗ) для 8 класса по алгебре. Авторы учебника: Бевз Г.П., Бевз В.Г. Содержит в себе полные и подробные ответы на все упражнения онлайн на пять фан.  Авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Издательство: ТОВ ФОЛIО Решебник (ГДЗ) для 8 класса по алгебре. Авторы учебника: Бевз Г.П., Бевз В.Г. Содержит в себе полные и подробные ответы на все упражнения онлайн на пять фан. Вправи. 1. 2. 3. 4.

5. 6. авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Лучшие гдз по алгебре для 8 класса, Бевз Г.П., Бевз В.Г.. С подробными решениями и удобным интерфейсом от Путина. Номера задач. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Автор: Бевз Г. П., Бевз В. Г. Издательство: Освіта. Год: Язык: украинский. Читать онлайн Відповіді (ГДЗ, ответы) Алгебра 8 клас Бевз , 1 Рекомендуемые учебники. Відповіді (ГДЗ, ответы) Інформатика 8 клас Морзе Н.

В. Морзе, О. В. Барна, В. П. Вембер. Скачать.  Відповіді (ГДЗ, ответы) Геометрія 8 клас Єршова Єршова А. П., Голобородько В. В., Крижановський О. Ф. Скачать. Відповіді (ГДЗ, ответы) Алгебра 8 клас Мерзляк Мерзляк А.Г., Полонський В. Б., Якір М.С. Скачать. Відповіді (ГДЗ, ответы) Алгебра 8 клас Істер Істер О.С. Скачать. Відповіді (ГДЗ, ответы) Фізика 8 клас Бар’яхтар ГДЗ: готовые ответы по алгебре за 8 класс, решебник Бевз,, онлайн решения на podarki-smolensk.ru  Авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г.

Издательство: ТОВ ФОЛIО Тип книги: Учебник. ГДЗ: готовые ответы по алгебре за 8 класс, решебник Бевз,, онлайн решения на podarki-smolensk.ru Решебник (ГДЗ) по учебнику Алгебра, 8 класс (Г.П. Бевз, В. Г. Бевз). Розв’язання вправ та завдань до підручника «АЛГЕБРА» Г.П. Бевза, В.Г. Бевз (8 клас). Точные науки: Математика класс» Алгебра» Геометрия» Физика» Химия Языки: Белорусский язык» Русский язык» Английский язык» Немецкий язык» Украинский язык» Французский язык Другие предметы: Биология» Всемирная история» История Украины» Информатика» Этика, природоведение и др.

Алгебра — 7 класс — 8 класс — 9 класс — 10 класс — 11 класс. Решебник по учебнику: Аудіо ГДР: Усі готові домашні роботи + золоті пояснення + аудіоуроки. 8.

ГДЗ по алгебре за 7 класс Мордокович – это электронный сборник решений по учебнику Мордоковича А.Г., Александровой Л.А., Мишустиной Т.Н., Тульчинской Т.Е. и др. Если не получается решить домашнюю работу, стоит вопрос о подготовке к контрольной или экзамену – решебник представляется лучшим решением.

Авторы: А.Г. Мордкович. Задачник 2 часть года выпуска издательством Мнемозина, 12 издание. Перейти к описанию. Поиск в решебнике. Предмет так Клас: Алгебра 8 клас. Посібник складено відповідно до чинної програми та підручника Бевз Г.П., Бевз В.Г. «Алгебра 8 клас» для загальноосвітніх навчальних закладів. Читати онлайн: ГДЗ (Відповіді, решебник) Алгебра 8 клас Бевз Г.П., Бевз В.Г.

Предыдущая статьяГДЗ (Відповіді, решебник) Фізика 8 клас Божинова. Следующая статьяГДЗ (Відповіді, решебник) Хімія 8 клас Попель. alinka.  ГДЗ (Відповіді, решебник) Тест-контроль Алгебра, Геометрія 8 клас. ГДЗ (Відповіді, решебник) Алгебра 8 клас Комплексний зошит Стадник. ГДЗ (Відповіді, решебник) Алгебра 8 клас О. С. Істер ( рік).

Лучшие ГДЗ Россия. ГДЗ и Ответы: Всероссийская проверочная работа за курс начальной школы по. Убедись в правильности решения задачи вместе с ГДЗ по Алгебре за 8 класс Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Ответы сделаны к книге года от ТОВ ФОЛIО.  авторы: Бевз Г.П., Бевз В.Г..

Издательство: ТОВ ФОЛIО год. Убедись в правильности решения задачи вместе с ГДЗ по Алгебре за 8 класс Бевз Г.П., Бевз В.Г.. Ответы сделаны к книге года от ТОВ ФОЛIО.

быстрый поиск. Вправи.

rtf, rtf, doc, djvu

Похожее:

Дорожні знаки історія

Урок виразного читання українська література

Ребуси для дітей 2 клас

Курсова робота на тему бізнес план

Людина художній образ професії презентація

Гдз 3 клас англійська мова робочий зошит 2014

9 клас укр мова диктант

Сверхбыстрое вихревое движение в сверхпроводнике Nb-C с прямой записью

Сначала сравним экспериментальные результаты с широко используемой моделью FFI Ларкина – Овчинникова (LO) ^21,40 с модификациями, внесенными Безуглием и Шкловским (BS ) ⁴¹ и Doettinger et al. ⁴² . Хотя в этих моделях не учитываются эффекты краевого барьера ^21,40,41,42 , все же интересно проверить, какие значения времени релаксации энергии квазичастиц τ _ϵ , связанные со скоростью неустойчивости, могут быть выводится из подгонки экспериментальных данных к этим моделям.

В рамках теории LO ^21,40 микроскопический механизм FFI следующий. Когда электрическое поле, индуцированное движением вихря, увеличивает энергию квазичастиц выше потенциального барьера, связанного с параметром порядка вокруг ядра вихря, квазичастицы покидают его, и ядро ​​сжимается. Усадка ядер вихря приводит к снижению коэффициента вязкого сопротивления и дальнейшему лавинообразному ускорению вихря, в конечном итоге гашению низкоомного состояния.Первоначальная теория гетеродина была разработана в «грязном» пределе около T _c и без учета нагрева сверхпроводника. Чтобы учесть нагрев квазичастиц из-за конечной скорости отвода энергии, рассеиваемой в образце, теория гетеродина была расширена в BS ⁴¹ . В обобщении BS последний эффект рассматривался в рамках подхода LO кинетического уравнения, который предполагает нетепловую (неферми-дираковскую) функцию распределения электронов, а джоулев нагрев учитывался с помощью функции теплового распределения и электронной температура T _e определялась из уравнения теплопроводности.{-1/2}, $$

(1)

где h — коэффициент теплоотвода. В то время как зависимость от магнитного поля v ^* ( B ) хорошо соответствует уравнению. (1) при B ≳ 50 мТл заметное отклонение v ^* ( B ) в сторону меньших значений наблюдается на рис. 3а при B ≲ 50 мТл. Это отклонение будет прокомментировано ниже. В целом, полный набор параметров неустойчивости, выводимых из рис.2 хорошо соответствует закону масштабирования BS, см. Дополнительный рис. 1. Однако, если связать τ _ϵ с временем электрон-фононного рассеяния τ _ep в модели LO, получится τ _ϵ , по крайней мере, на порядок меньше, чем можно было бы ожидать от τ _ϵ , обнаруженных в аналогичных сверхпроводниках с низкой T _c сильно разупорядоченных сверхпроводников ^43,44,45 , см. Обсуждение.{1/2} \ left (1+ \ frac {a} {\ sqrt {D {\ tau} _ {\ epsilon}}} \ right). $$

(2)

В уравнении. (2), член \ (a / \ sqrt {D {\ tau} _ {\ epsilon}} \), где a — межвихревое расстояние, был добавлен для включения необходимого условия пространственной однородности неравновесной распределение квазичастиц между вихрями при относительно малых магнитных полях. Результаты расчета по формуле. (2) показаны сплошными линиями на рис. 3а, где время релаксации энергии варьировалось как единственный подгоночный параметр.Наилучшие совпадения достигаются при τ _ϵ = 16 пс, что можно рассматривать как более точную оценку времени релаксации энергии в сверхпроводнике Nb-C-FIBID. Отметим, что с этой оценкой τ _ϵ длина диффузии квазичастиц \ ({l} _ {\ epsilon} = \ sqrt {D {\ tau} _ {\ epsilon}} \) ≈ 28 нм равна намного меньше, чем межвихревое расстояние a при всех используемых магнитных полях и, что важно, l _ϵ ≲ 2 ξ ( T ) с 2 ξ (0. 75 T _c ) ≈ 25 нм и 2 ξ (0,9 T _c ) ≈ 38 нм.

Сценарий FFI с граничным барьером ³⁰ отличается от сценария FFI для LO и BS. Действительно, LO и BS рассматривали движущуюся периодическую вихревую решетку в бесконечном сверхпроводнике в приближении Вигнера – Зейтца и, следовательно, не могли учесть коллективные эффекты, связанные с трансформацией вихревой решетки и эффектами краевого барьера. Напротив, в модели FFI ³⁰ с контролируемым краевым барьером учитывается неоднородное распределение вихрей, а также локальный джоулев нагрев и охлаждение (из-за изменения во времени величины сверхпроводящего параметра порядка ∣Δ ∣) в зависимости от положения вихря.Модель FFI, управляемая краевым барьером, позволяет изучать «локальную» неустойчивость и коллективные эффекты в динамике вихря, полагаясь на решение уравнения теплопроводности для электронов и модифицированное нестационарное уравнение Гинзбурга – Ландау для Δ ( r , т ). В этой модели было показано, что в низкоомном состоянии существует температурный градиент по ширине микрополоски с максимальной локальной температурой около края, где вихри входят в образец ³⁰ .Более высокая температура на краю вызвана большей плотностью тока в приграничной области из-за наличия краевого барьера для входа вихрей и, следовательно, локально большей джоулевой диссипации. С увеличением тока происходит серия преобразований движущейся вихревой решетки. На рис. 5 мы показываем примеры расчетных кривых I — V и снимки ∣Δ∣ ( r ) для параметров сверхпроводника, как в ссылке. ³⁰ . Аналогичные преобразования, связанные с переориентациями решетки движущихся вихрей на вставках 1–2 на рис.5b были экспериментально обнаружены ⁴⁷ и теоретически проанализированы ⁴⁸ ранее.

Рис. 5: Моделирование Гинзбурга – Ландау, зависящее от времени.

Расчетные кривые I — V сверхпроводящей микрополоски шириной w = 50 ξ _c при T = 0,8 T _c для B = 0,02 B ₀ ( a ) и B = 0,05 B ₀ ( b ). {2}) \ simeq 4.9 \) T, где \ ({\ xi} _ {{\ rm {c}}} = \ sqrt {1.76} \ xi (0) = 8.2 \) нм. Электрическое поле измеряется в единицах E ₀ = k _B T _c / (2 e ξ _c ), а ток — в единицах I _{. dep} .

При токах чуть ниже I ^* локализованные области с сильно подавленной сверхпроводимостью и близкорасположенными вихрями появляются около самого горячего края (левый край на вставках к рис.5). Достигнув I ^* , эти области начинают расти в направлении противоположного края и образуют высокоомную связь, подобную Джозефсоновской SNS (река вихря), по которой движутся вихри ^3,6,30,49 . Эти вихри относятся к типу Абрикосова – Джозефсона, поскольку движутся в областях с подавленным параметром порядка. Из-за увеличивающейся диссипации вихревые реки превращаются в нормальные домены, которые затем расширяются вдоль микрополоски. Вследствие этого происходит скачок в высокоомное состояние при I ^* . В целом, результаты моделирования демонстрируют, что трансформация движущегося массива вихрей является коллективным явлением, которое включает коррелированные изменения в движении многих вихрей с увеличением тока и, при I ^* , приводит к появлению Джозефсона. -подобные ссылки в социальных сетях, известные как вихревые реки ^3,6,49 .

В модели FFI ³⁰ с управлением по краю ток I ^* линейно увеличивается с шириной полосы, тогда как V ^* не зависит от w , как в LO и модели BS.Этот результат сохраняется при B ≫ B _stop , когда a намного меньше ширины w микрополоски и a становится меньше, чем ширина области без завихрений около края микрополоски. Это означает, что, несмотря на то, что зарождение точек FFI происходит около края, где локальная температура и плотности тока максимальны, вдали от края, где плотность тока однородна, вихри должны двигаться с относительно высокими скоростями. В противном случае FFI не будет развиваться по всей микрополоске, и у одного будут только истоки вихревых рек, как это видно из рис. 5 в ³⁰ at I ≲ I ^* . Линейное масштабирование I ^* ( w ) с шириной микрополоски w подтверждается экспериментальным наблюдением на рис. 6а, где кривые I — V для двух микрополосков с шириной w = 1 мкм и 500 нм показаны при T = 4.2 K и B = 50 мТл.

Рис. 6: ВАХ микрополосков.

a Экспериментальный I — V Кривые двух микрополосков Nb-C-FIBID с шириной w = 1 мкм и 500 нм при T = 4,2 K и B = 50 мТл в представление двойного журнала. Врезка: те же данные в линейном масштабе. Исходные данные представлены в виде файла исходных данных. b Расчетные кривые I — V сверхпроводящей микрополоски шириной w = 50 ξ _c при T = 0. 8 T _c , B = 0,01 B ₀ для различных значений τ _esc , как указано, для C _e ( T _c ) / C _p ( T _c ) = 0,57, τ _E = 12,5 пс, и τ _E (0,8 T _c ) ≃ 2 τ _E ( Т _с ). На вставке: усредненная по времени электронная температура T _e в центре микрополоски как функция нормированного тока.

В модели FFI с краевым барьером ³⁰ время релаксации энергии зависит не только от времени электрон-фононной релаксации τ _ep (как в модели LO), но и от времени выхода из неравновесных состояний. фононов к подложке τ _esc и соотношению электронной и фононной теплоемкостей C _e и C _p соответственно. При T ≃ T _c и при небольшом отклонении от равновесия:

$$ {\ tau} _ {\ epsilon} \ simeq {\ tau} _ {{\ rm {E}}} + {\ tau} _ {{\ rm {esc}}} (1+ {C} _ {{\ rm {e}}} ({T} _ {{\ rm {c}}}) / {C} _ {{\ rm {p}}} ({T} _ {{\ rm {c}}})), $$

(3)

, где τ _E ≃ τ _ep /4. 5 — время электрон-фононной релаксации, перенормированное из-за неупругого рассеяния быстрых электронов. Здесь τ _ep — время электрон-фононной релаксации, используемое в модели LO. Следуя аргументам исх. ⁴² , можно утверждать, что неустойчивость возникает при скорости v ^* ~ a / τ _ϵ при межвихревом расстоянии \ (a \, \ lesssim \, \ sqrt {D { \ tau} _ {{\ rm {\ epsilon}}}} \). Это условие приводит к зависимости v ^* ( B ), которая была выявлена ​​в численных расчетах ³⁰ .Одно из важных различий между модифицированной моделью LO ⁴² и моделью FFI с контролируемым фронтом состоит в том, что в последней модели ³⁰ , a ~ B ^−1/2 только при относительно больших магнитных полях, когда межвихревой расстояние при I ~ I _c и I ~ I ^* практически одинаково, несмотря на изменение структуры движущейся вихревой решетки. {1/2} \) при I ~ I ^* и, следовательно, количество вихрей меньше, чем следует из простой оценки n Φ ₀ = B S , см. Рис.5а. В целом это приводит к более слабой экспериментальной зависимости v ^* ( B ), чем следует из «глобальной» модели нестабильности с v ^* ~ B ^{−1/2 42} . Качественно именно такое поведение наблюдается в эксперименте, см. Рис. 3а.

Большие значения v ^* , наблюдаемые в нашей системе, следует отнести не только к τ _E < τ _ep , но также и к маленькому τ _esc в уравнении.(3). Действительно, из-за изолирующего слоя Nb-C-FEBID поверх микрополоски, похоже, нет фононного узкого места, которое могло бы существовать из-за акустического несоответствия между тонким грязным сверхпроводником и подложкой ⁴⁴ . В качестве оценки для нашей системы мы выводим τ _esc ~ 4 d / u ≈ 24 пс, где u ~ 2,5 км с ⁻¹ — средняя скорость звука. Это значение больше, чем τ _ε ~ 16 пс, полученное из экспериментальных данных с использованием модифицированной модели LO.Мы должны подчеркнуть, что числовые коэффициенты в модели LO строго действительны только довольно близко к T _c (когда Δ ( T ) ≪ k _B T _c , т.е. T ≳ 0,9 T _c ) и в случае, когда τ _ee ≫ τ _ep и τ _esc = 0. Следовательно, эти коэффициенты могут быть другими в нашей грязной системе с τ _ϵ ~ τ _esc и при температурах дальше от T _c .

Наконец, мы хотели бы отметить, что, к сожалению, нет аналитической связи между v ^* и τ _ϵ в модели FFI ³⁰ с контролируемым краевым барьером. Соответственно, обсуждение соотношения между v ^* и τ _ϵ должно оставаться на качественном уровне. Из уравнения. (3) следует, что изменение τ _E , τ _esc и C _e / C _p приводит к изменению времени релаксации τ _ϵ .{-1/2} \). Качественно такая же тенденция обнаруживается, если увеличить отношение C _e / C _p для данного значения τ _esc . В частности, при увеличении τ _esc / τ _E на два порядка, E / E ₀ уменьшается всего примерно в три раза. На вставке к рис. 6б также можно видеть, что с увеличением τ _esc , усредненная по времени температура в центре сверхпроводящей микрополоски увеличивается, что указывает на повышенный вклад джоулевой диссипации в FFI.Повышенная температура также влияет на v ^* из-за температурной зависимости τ _E ~ 1/ T ³ и C _e / C _p ~ 1/ T ² в используемой модели ³⁰ .

Мы хотели бы обрисовать прикладной аспект сверхпроводящих свойств исследуемой микрополоски Nb-C-FIBID. А именно, малый коэффициент диффузии D ≈ 0.49 см ² с ^-1 и низкая температура перехода T _c = 5,6 К предполагают, что Nb-C-FIBID может быть материалом-кандидатом для сверхпроводящих однофотонных детекторов (SSPD). Мы обращаемся к Таблице 1 для сравнения с параметрами некоторых типичных SSPD и к исх. ³¹ для дальнейшего обсуждения. В связи с этим следует отметить, что около десяти лет SSPD изготавливались из меандрирующих нанополос с шириной в диапазоне 50–150 нм, поскольку эмпирически было установлено, что использование более широких полос приводит либо к потере однофотонности. реакции или на снижение эффективности обнаружения ⁵⁰ .Это наблюдение соответствовало модели обнаружения «геометрического горячего пятна», в которой ширина полосы, несущей сверхток, должна быть сравнима с диаметром нормальной области, где сверхпроводящее состояние подавляется из-за поглощения фотона. .

Таблица 1 Nb-C-FIBID в качестве материала-кандидата для однофотонных детекторов.

Недавно была предложена «модель генерируемого фотонами сверхпроводящего вихря» ^31,51 . Было обнаружено, что эффективность регистрации фотонов не определяется геометрией, поскольку начальная плотность тока однородна и близка к критическому току разрыва пары I _dep .Было подчеркнуто, что даже грязные сверхпроводящие полоски шириной несколько микрон должны подходить для обнаружения одиночных ближних инфракрасных или оптических фотонов, если их критический ток I _c ≳ 0,7 I _dep ³¹ . Единственное требование к ширине полоски — она ​​должна быть меньше длины Перла Λ = 2 λ ² / d , что обеспечивает однородность сверхтока по ширине сверхпроводника. Недавно это условие было выполнено в широких и коротких мостах NbN ⁵² и MoSi ⁵³ , чей фотонный отклик соответствовал механизму начальной диссипации с помощью вихрей ⁵¹ . Таким образом, учитывая сверхпроводящие свойства наших образцов, которые резко отличаются от более чистых пленок Nb-C, полученных с помощью импульсной лазерной абляции в [5]. ⁵⁴ , Nb-C-FIBID, по-видимому, является хорошим кандидатом для быстрого однофотонного обнаружения. Дальнейшее повышение критического тока в Nb-C-FIBID можно ожидать для конических токоподводов ^52,53 , что должно минимизировать снижение I _c вследствие нежелательных эффектов накопления тока ¹⁹ , и Дополнительные преимущества простой интеграции на кристалле ⁵⁵ или на оптоволокне ⁵⁶ обеспечиваются технологией нанопроизводства с прямой записью.Кроме того, возможность контролировать толщину отдельных слоев FIBID / FEBID с точностью лучше 1 нм ^57,58 должна позволить изготавливать сверхрешетки сверхпроводник / изолятор для изучения эффектов квантовой интерференции и соизмеримости ⁵⁹ , а также фотонных кристаллы со сверхпроводящими слоями ⁶⁰ .

Подводя итог, мы экспериментально продемонстрировали сверхбыструю динамику вихрей на скоростях до 15 км с ⁻¹ в однородной сверхпроводящей микрополоске, изготовленной FIBID.Устойчивый поток потока при таких высоких скоростях является следствием комбинированного воздействия сильного краевого барьера на фоне слабого пиннинга объема, критических токов, близких к распаду, и быстрой релаксации квазичастиц в исследуемой системе. Отличительной особенностью сверхпроводника Nb-C с прямой записью является краевой барьер, близкий к идеальному, который упорядочивает вихревое движение при больших значениях тока и позволяет описать пространственную эволюцию FFI, опираясь на краевой барьер, управляемый Модель FFI.Наблюдаемые высокие скорости вихрей в Nb-C-FIBID делают доступными исследования далекой от равновесной сверхпроводимости ⁶¹ и вихревой материи, управляемой большими токами, открывая перспективы для черенковской генерации других возбуждений быстро движущейся вихревой решеткой в гибридные структуры ферромагнетик / сверхпроводник. Кроме того, малый коэффициент диффузии электронов D ≈ 0,5 см ² с ⁻¹ , низкая температура сверхпроводящего перехода T _c = 5.6 K и высокие значения I _c , превышающие 70% тока разрушения, делают Nb-C-FIBID интересным материалом-кандидатом для быстрых однофотонных детекторов.

SEC.gov | Превышен порог скорости запросов

Чтобы обеспечить равный доступ для всех пользователей, SEC оставляет за собой право ограничивать запросы, исходящие от необъявленных автоматизированных инструментов. Ваш запрос был идентифицирован как часть сети автоматизированных инструментов за пределами допустимой политики и будет обрабатываться до тех пор, пока не будут приняты меры по объявлению вашего трафика.

Укажите свой трафик, обновив свой пользовательский агент, включив в него информацию о компании.

Чтобы узнать о передовых методах эффективной загрузки информации с SEC.gov, в том числе о последних документах EDGAR, посетите sec. gov/developer. Вы также можете подписаться на рассылку обновлений по электронной почте о программе открытых данных SEC, включая передовые методы, которые делают загрузку данных более эффективной, и улучшения SEC.gov, которые могут повлиять на процессы загрузки по сценарию. Для получения дополнительной информации свяжитесь с opendata @ sec.губ.

Для получения дополнительной информации см. Политику конфиденциальности и безопасности веб-сайта SEC. Благодарим вас за интерес к Комиссии по ценным бумагам и биржам США.

Идентификатор ссылки: 0.5dfd733e.1634120629.1e2ad7e0

Дополнительная информация

Политика безопасности в Интернете

Используя этот сайт, вы соглашаетесь на мониторинг и аудит безопасности. В целях безопасности и обеспечения того, чтобы общедоступная служба оставалась доступной для пользователей, эта правительственная компьютерная система использует программы для мониторинга сетевого трафика для выявления несанкционированных попыток загрузки или изменения информации или иного причинения ущерба, включая попытки отказать пользователям в обслуживании.

Несанкционированные попытки загрузить информацию и / или изменить информацию в любой части этого сайта строго запрещены и подлежат судебному преследованию в соответствии с Законом о компьютерном мошенничестве и злоупотреблениях 1986 года и Законом о защите национальной информационной инфраструктуры 1996 года (см. Раздел 18 USC §§ 1001 и 1030).

Чтобы обеспечить хорошую работу нашего веб-сайта для всех пользователей, SEC отслеживает частоту запросов на контент SEC.gov, чтобы гарантировать, что автоматический поиск не влияет на возможность доступа других пользователей к SEC.содержание правительства. Мы оставляем за собой право блокировать IP-адреса, которые отправляют чрезмерное количество запросов. Текущие правила ограничивают пользователей до 10 запросов в секунду, независимо от количества машин, используемых для отправки запросов.

Если пользователь или приложение отправляет более 10 запросов в секунду, дальнейшие запросы с IP-адреса (-ов) могут быть ограничены на короткий период. Как только количество запросов упадет ниже порогового значения на 10 минут, пользователь может возобновить доступ к контенту на SEC.губ. Эта практика SEC предназначена для ограничения чрезмерного автоматического поиска на SEC.gov и не предназначена и не ожидается, чтобы повлиять на людей, просматривающих веб-сайт SEC.gov.

Обратите внимание, что эта политика может измениться, поскольку SEC управляет SEC.gov, чтобы гарантировать, что веб-сайт работает эффективно и остается доступным для всех пользователей.

Примечание: Мы не предлагаем техническую поддержку для разработки или отладки процессов загрузки по сценарию.

ДР. ДАНИЭЛЬ П. БЕВЗ ПТЫ. LTD. | Справочник предприятий Австралии

DR.ДАНИЭЛЬ П. БЕВЗ ПТЫ. LTD. была введена в действие 11 ноября 2009 года в качестве австралийской частной компании, расположенной на VIC 3040. Это ABN (Austrlian Business NO.): 203064. На данный момент компания работает 11 лет 11 месяцев и 2 дня. Д-р Даниэль П. Бевз Пти. Лтд. Является действующим лицом.

Номер компании

203064

Название компании

DR.ДАНИЭЛЬ П. БЕВЗ ПТЫ. LTD.

Дата регистрации

11 ноя 2009

Тип

Австралийская частная компания

Статус

Действует 16 апреля 2000 г.

GST:

Зарегистрировано 11 февраля 2009 г. и отменено 31 марта 2012 г.

тонких пленок и наноструктур

тонких пленок и наноструктур

Тонкие пленки и наноструктуры

Публикации

2021

1. Разработанная намагниченность и обменная жесткость в наноэлементах Co-Fe с прямой записью
   С.А. Буняев, Б. Будинская, Р. Саксер, К. Ван, К. Левченко, С. Кнауэр, А. В. Бондаренко, М. Урбанек, К. Ю. Гуслиенко, А. В. Чумак, М. Хут, Г. Н. Каказей, О. В. Добровольский
   Прил. Phys. Lett. 118 , 022408 (2021)
2. Гранулированные датчики Холла для сканирующей зондовой микроскопии
   Р.Заксер, Й. Хютнер, К. Х. Швальб, М. Хут
   Наноматериалы 11 , 348 (2021)
3. Собственные моды спиновых волн в трехмерных нановулканах с прямой записью
   О. В. Добровольский, Н. Р. Вовк, А. В. Бондаренко, С. А. Буняев, С. Лэмб-Камарена, Н. Зенбаа, Р. Заксер, С. Барт, К. Ю. Гуслиенко, А. В. Чумак, М. Хут, Г. Н. Каказеи
   Прил.Phys. Lett. 118 , 132405 (2021)
4. Электропроводность по переменному току и корреляционные эффекты в наногранулированном Pt / C
   М. Ханефельд, П. Грушка, М. Хут
   Научные отчеты 11 , 15163 (2021)
5. Прямая запись наноструктур силицида кобальта с использованием предшественников из одного источника
   Ф.Юнгвирт, Ф. Поррати, А. Г. Шук, М. Хут, С. Барт
   ACS Appl. Materi. Интерф., Принято (2021 г.)
6. Реализация своего потенциала — нанотехнология с прямой записью со сфокусированными электронными лучами
   М. Хут, Ф. Поррати, С. Барт
   J. Appl. Phys., Принято (2021 г.)

2020

1. Температурно-зависимые характеристики роста Nb- и Наноструктуры на основе CoFe путем прямой записи с использованием осаждения, индуцированного сфокусированным электронным пучком
   М. Huth, F. Porrati, P. Gruszka, S. Barth
   Микромашины 11 , 28 (2020)
2. Трехмерная нанопечать на основе сфокусированного электронного луча для сканирующей зондовой микроскопии: обзор
   Х. Планк, Р. Винклер, К. Х. Швальб, Дж. Хютнер, Дж. Д. Фаулкс, П. Д. Рак, И. Утке, М. Хут
   Микромашины 11 , 48 (2020)
3. Кривые обращения первого порядка (FORC) нанотехнологических 3D структур Co-Fe
   М.Аль Мамури, К. Шредер, Л. Келлер, М. Хут, Дж. Мюллер
   Авансы AIP 10 , 015319 (2020)
4. Верхний предел частоты для направляющих вихрей и храпового эффекта
   О. В. Добровольский, Э. Бегун, В. М. Бевз, Р. Заксер, М. Хут
   Phys. Rev. Appl. 13 , 024012 (2020)
5. Kleingedrucktes mit großem Effekt
   М.Хут, Л. Келлер, Х. Планк, Р. Винклер,
   Phys. Unserer Zeit 51 , 64 (2020)
6. Движущиеся кванты потока охлаждают сверхпроводники с помощью микроволнового дыхания
   О. В. Добровольский, К. Гонсалес-Руано, А. Лара, Р. Саксер, В. М. Бевз, В. А. Шкловский, А. И. Безуглый, Р. В. Вовк, М. Хут, Ф. Г. Алиев
   Commun. Phys. 3 , 64 (2020)
7. Сверхбыстрое вихревое движение в сверхпроводнике Nb-C с прямой записью
   О.Добровольский, Д.Ю. Водолазов, Ф. Поррати, Р. Саксер, В. М. Бевз, М. Ю. Михайлов, А.В. Чумак, М. Хут
   Nature Commun. 11 , 3291 (2020)
8. Создание трехмерных наномагнетиков с использованием сфокусированных электронных пучков
   А. Фернандес-Пачеко, Л. Скорич, Х. М. Де Тереза, Х. Пабло-Наварро, М. Хут, О. Добровольский,
   Материалы 13 , 3774 (2020)
9. Спин-волновая спектроскопия индивидуальных ферромагнитных нанодисков
   О.В. Добровольский, С. А. Буняев, Н. Р. Вовк, Д. Навас, П. Грушецкий, М. Кравчик, Р. Заксер, М. Хут, А. В. Чумак, К. Ю. Гуслиенко, Г. Н. Каказей
   Наноразмеры 12 , 21207 (2020)
10. Прекурсоры для нанофабрикатов с прямой записью с электронами
    С. Барт, М. Хут, Ф. Юнгвирт
    J. Mater. Chem. C 8 , 15884 (2020)

2019

1. Снижение микроволновых потерь подвижными флюксонами в рифленых пленках ниобия
   О.В. Добровольский, Р. Саксер, В. М. Бевз, А. Лара, Ф. Г. Алиев, В. А. Шкловский, А. И. Безуглый, Р. В. Вовк, М. Хут
   Phys. Статус Solidi RRL 13 , 1800223 (2019)
2. Магнон-флюксонное взаимодействие в гетероструктуре ферромагнетик / сверхпроводник
   О. Добровольский, Р. Саксер, Т. Брехер, Т. Фишер, В. Кругляк, Р. Вовк, В. Шкловский, М. Хут, Б.Хиллебрандс, А. Чумак
   Природа Физика 15 , 477 (2019)
3. Одноэлектронные транзисторы с прямой записью методом индуцированного осаждения сфокусированным электронным пучком
   Г. Ди Прима, Р. Саксер, П. Тромпенаарс, Х. Малдерс, М. Хут
   Нано фьючерсы 3 , 025001 (2019)
4. Фазоинвертор спиновой волны на одиночном нанодефекте
   О.В. Добровольский, Р. Саксер, С. А. Буняев, Д. Навас, В. Бевз, М. Зелент, В. Смигай, Я. Рихли, М. Кравчик, Р. Вовк, М. Хут, Г. Каказеи
   ACS Appl. Матер. Интерфейсы 11 , 17654 (2019)
5. Исследование многотельных эффектов в квазидвумерной электронной системе органических солей с переносом заряда
   Т. Машофф, Дж. Регель, К. Медяник, Г.Schönhense, M. Huth, J. Müller, M. Lang, R. Valenti, M. Baumgarten, H.-J. Элмерс
   Phys. Статус Solidi B 1800674 (2019)
6. Кристаллические сверхпроводящие нанопроволоки из карбида ниобия, полученные методом прямой записи сфокусированным ионным пучком
   Ф. Поррати, С. Барт, Р. Саксер, О. В. Добровольский, А. Зейберт, А. С. Франгакис, М. Хут
   САУ Нано 13 , 6287 (2019)
7. Быстрая динамика ведомых квантов магнитного потока
   О.В. Добровольский, В. М. Бевз, Э. Бегун, Р. Саксер, Р. В. Вовк, М. Хут
   Phys. Rev. Appl. 11 , 054064 (2019)
8. Локальная потоковая неустойчивость в сверхпроводящих пленках вблизи T _c
   А. И. Безуглый, В. А. Шкловский, Р. В. Вовк, В. М. Бевз, М. Хут, О. В. Добровольский
   Phys.Ред. B 99 , 174518 (2019)
9. Одноэлектронные эффекты для исследования локальных изменений электрической поляризации и скачкообразного изменения заряда
   М. Хут, П. Грушка, К. Гроссмюллер, М. Ханефельд, Л. Келлер
   Phys. Статус Solidi B 1^{3 (2019)}

2018

1. Осаждение, индуцированное сфокусированным электронным пучком, соответствует материаловедению (обзор)
   М.Хут, Ф. Поррати, О. В. Добровольский,
   Микроэлектроника 185 — 186 , 9 (2018)
2. Взаимодействие электронов с гетероядерным предшественником карбонила (H ₂ FeRu ₃ (CO) ₁₃ ): от фундаментальных исследований газовой фазы и науки о поверхности до осаждения, индуцированного сфокусированным электронным пучком
   Р. Кумар Т. П., П.Weirich, L. Hrachowina, M. Hanefeld, R. Bjornsson, H. R. Hrodmarsson, S. Barth, D. H. Fairbrother, M. Huth, O. Ingolfsson
   Beilstein J. Nanotechnol. 9 , 555 — 579 (2018)
3. Прямой синтез гипердопированных нанопроволок германия
   М. С. Зайфнер, М. Систани, Ф. Поррати, Г. Ди Прима, П. Пертл, М. Хут, А. Лугштейн, С. Барт
   САУ Нано 12 , 1236 (2018)
4. Магнитная характеристика строительных блоков произвольной формы с прямой записью для искусственных магнитных трехмерных решеток
   М.К. И. Аль Мамури, Л. Келлер, Дж. Пипер, С. Барт, Р. Винклер, Х. Планк, Дж. Мюллер, М. Хут
   Материалы 11 , 289 (2018)
5. Настраиваемые 3D-нанорезонаторы для газоизмерительных приложений
   Г. Арнольд, Р. Винклер, М. Стермитц, А. Ортакер, Ж.-Х. Но, Дж. Д. Фаулкс, Г. Котлейтнер, М. Хут, П. Д. Рэк, Х.Доска
   Adv. Функц. Матер. 28 , 1707387 (2018)
6. Прямая запись строительных блоков произвольной формы для искусственных магнитных трехмерных решеток
   Л. Келлер, М. К. И. Аль Мамури, Дж. Пипер, К. Гспан, И. Штокем, К. Шредер, С. Барт, Р. Винклер., Х. Планк, М. Похлит, Дж. Мюллер, М. Хут
   Научные отчеты 8 , 6160 (2018)
7. Генерация радиочастот когерентно движущимися флюксонами
   О.В. Добровольский, Р. Заксер, М. Хут, В. А. Шкловский, Р. В. Вовк, В. М. Бевз, М. И. Циндлехт
   Прил. Phys. Lett. 112 , 152601 (2018)
8. Генерация рисунка для трехмерных наноразмерных структур с прямой записью посредством осаждения, индуцированного сфокусированным электронным пучком
   Л. Келлер, М. Хут
   Байльштейн Дж.Нанотех. 9 , 2581 — 2598 (2018)
9. Бинарные наноструктуры Mn-Si, полученные методом индуцированного сфокусированным электронным пучком осаждения из прекурсора SiH ₃ Mn (CO) ₅
   Ф. Поррати, С. Барт, Р. Саксер, Ф. Юнгвирт, М. Ельцов, А. С. Франгакис, М. Хут
   J. Phys. D: Прил. Phys., 51 , 455301 (2018)
10. Микроволновое излучение сверхпроводящих вихрей в сверхрешетках Mo / Si
    О. В. Добровольский, В.М. Бевз, М.Ю. Михайлов, О. И. Юзефович, В. А. Шкловский, Р. В. Вовк, М. И. Циндлехт, Р. Заксер, М. Хут
    Nature Commun. 9 , 4927 (2018).

2017

1. Скачки магнитного момента в плоских тонкостенных цилиндрах из ниобия и наноразмерных рисунков
   М.И. Циндлехт, В. Генкин, И. Фельнер, Ф. Зейдес, Н. Кац, С. Гази, С. Хромик, О.В. Добровольский, Р. Саксер, М. Хут
   Физика С 533 , 101 (2017)
2. Ступеньки Shapiro с нулевым смещением в нанопейзажах с асимметричным закреплением
   О. В. Добровольский, В. В. Соседкин, Р. Саксер, В. А. Шкловский, Р. В. Вовк, М. Хут
   Дж. Сверхсекунда. Nov. Magn. 30 , 735 (2017)
3. Электротранспортные свойства гранулированных наноструктур на основе W, облученных Ga
   Ф. Поррати, Л. Келлер, К. Гспан, Х. Планк, М. Хут
   J. Phys. Д 50 , 215301 (2017)
4. Эффекты пиннинга на нестабильности потока потока в эпитаксиальных тонких пленках Nb
   О.В. Добровольский, В. А. Шкловский, М. Ханефельд, М. Зёрб, Л. Кёс, М. Хут
   Сверхсекунда. Sci. Technol. 30 , 085002 (2017)
5. Сплав многослойных и тройных наноструктур методом прямой записи
   Ф. Поррати, Р. Саксер, Г. К. Газзади, С. Фраббони, А. Терфорт, М. Хут
   Нанотехнологии 28 , 415302 (2017)
6. Мониторинг проводимости на месте роста тонкой пленки Pt с помощью избирательного осаждения атомного слоя
   ГРАММ.Ди Прима, Р. Заксер, П. Грушка, М. Ханефельд, Т. Halbritter, A. Heckel, M. Huth
   Нано фьючерсы 1 , 025005 (2017)
7. Подвижные флюксоны как когерентные зонды периодического пиннинга в сверхпроводниках
   О. В. Добровольский, М. Хут, В. А. Шкловский, Р. В. Вовк
   Научные отчеты 7 , 13740 (2017)

2016

1. Исследования магнитного поля рассеяния одиночного наноэлемента кобальта как компонента строительных блоков искусственного квадратного спинового льда
   М.Похлит, Ф. Поррати, М. Хут, Ю. Оно, Х. Оно, Йенс Мюллер
   20-я Международная конференция по магнетизму (ICM2015), Барселона, 5-10 июля 2015 г.
   J. Magn. Magn. Мат. 400 , 206 (2016)
2. Доказательства восьмиузловой сверхпроводимости смешанной симметрии в коррелированном органическом металле
   Д. Гутердинг, С. Диль, М. Альтмейер, Т. Метфессель, У. Тутч, Х. Шуберт, М. Ланг, Дж. Мюллер, М.Huth, H.O. Jeschke, R. Valenti, M. Jourdan, H.-J. Elmers
   Phys. Rev. Lett. 116 , 237001 (2016)
3. Взаимодействие магнитоводов и эффекта Холла в пленках Nb с наноканавками
   О. Добровольский, М. Ханефельд, М. Зёрб, М. Хут, В. А. Шкловский
   Сверхсекунда. Science Technol. 29 , 065009 (2016)
4. Магнитные свойства на постоянном и переменном токе тонкостенных цилиндров из ниобия с рядом антиточек и без него
   M.И. Циндлехт, В. Генкин, И. Фельнер, Ф. Зейдес, Н. Кац, С. Гази, С. Хромик, О.В. Добровольский, Р. Саксер, М. Хут
   J. Phys .: Cond. Мэтт. 28 , 215701 (2016)
5. Наноразмерная печать с прямой записью наногранулированных туннельных тензодатчиков для субмикрометровых кантилеверов
   M. Dukic, M. Winhold, Ch. Х. Швальб, Дж. Д. Адамс, В. Ставров, М. Хут, Г. Э. Фантнер
   Nature Commun. 7 , 12487 (2016)
6. Экспериментальное и теоретическое исследование динамики намагничивания искусственного квадратного спинового ледяного кластера
   M.Pohlit, I. Stockem, F. Porrati, M. Huth, C. Schröder, J. Müller
   J. Appl. Phys. 120 , 142103 (2016)
7. Изготовление соединений FeSi и Fe ₃ Si путем индуцированного электронным пучком смешения мультислоев [Fe / Si] ₂ и [Fe ₃ / Si] ₂ , выращенных осаждением, индуцированным сфокусированным электронным пучком
   F. Porrati, R. Sachser, GC Gazzadi, S. Frabboni, M. Huth
   J. Appl. Phys. 119 , 234306 (2016)
8. Анализ кривых обращения первого порядка (FORC) индивидуальных магнитных наноструктур с использованием микромагнитометрии Холла
   M.Pohlit, P. Eibich, M. Akbari, F. Porrati, M. Huth, J. Müller
   Rev. Sci. Instr. 87 , 113907 (2016)

2015

1. ⁴ He пробоотборник для комбинированных измерений переноса микроволнового и постоянного тока
   О. В. Добровольский, Дж. Франке, М. Хут
   Измер. Sci. Technol. 26 , 035502 (2015)
2. Настройка переноса заряда за счет химического замещения и одноосного давления в органическом комплексе тетраметоксипирен – тетрацианохинодиметан
   М.Rudloff, K. Ackermann, M. Huth, H.O. Jeschke, M. Tomic, R. Valenti, B. Wolfram, M. Bröring, M. Bolte, D. Chercka, M. Baumgarten, K. Müllen
   Phys. Chem. Chem. Phys. 17 , 4118 (2015)
3. Пострастовая очистка наноструктур Со, полученных методом индуцированного осаждения сфокусированным электронным пучком
   Э. Бегун, О. В. Добровольский, М. Компаниеец, Р. Саксер, Ч. Гспан, Х. Планк, М. Хут
   Нанотехнологии, 26 , 075301 (2015)
4. Эффект сверхпроводящей близости в кристаллических нанопроволоках Co и Cu
   M.Компанияец, О. В. Добровольский, К. Нитцель, В. Энсингер, М. Хут
   J. Supercond. Nov. Magn. 28 , 431 (2015)
5. Обработка с помощью пучка сфокусированных частиц
   M. Huth, A. Gölzhäuser
   Beilstein J. Nanotechnology 6 , 1883 (2015)
6. Настраиваемый магнетизм на латеральном мезоуровне путем постобработки гетероструктур Co / Pt
   О. В. Добровольский, М. Компаниеец, Р. Саксер, Ф. Поррати, Ч.Gspan, H. Plank, M. Huth
   Beilstein J. Nanotechn. 6 , 1082 (2015)
7. Вызванная беспорядком щель в нормальной плотности состояний органического сверхпроводника κ- (BEDT-TTF) ₂ Cu [N (CN) ₂ ] Br
   S. Diehl, T. Methfessel, U. Tutsch, J Мюллер, М. Ланг, М. Хут, М. Журдан, Х.-Ж. Elmers
   J. Phys .: Cond. Мэтт. 27 , 265601 (2015)
8. На пути к оптимальной конструкции электростатических фазовых пластин
   A.Уолтер; S. Steltenkamp, ​​S. Schmitz, P. Holik, E. Pakanavicius, R. Sachser, M. Huth, D. Rhinow, W. Kühlbrandt
   Ультрамикроскопия 153 , 22 (2015)
9. Нанокластерные строительные блоки искусственного квадратного спинового льда: исследования термодинамики в рассеянных полях
   М. Похлит, Ф. Поррати, М. Хут, Ю. Оно, Х. Оно, Дж. Мюллер
   J. Appl. Phys. 117 , 17C746 (2015)
10. Перестраиваемый микроволновый фильтр нижних частот постоянного тока с двойной отсечкой на сверхпроводящих микрополосках из ниобия с асимметричными наноканавками
    O.Добровольский В., Хут М.
    Заявл. Phys. Lett. 106 , 142601 (2015)
11. Прямая запись наноструктур сплава CoFe с помощью осаждения, индуцированного сфокусированным электронным пучком, из гетероядерного предшественника
    Ф. Поррати, М. Полит, Дж. Мюллер, С. Барт, Ф. Биггер, К. Гспан, Х. Планк, М. Хут
    Нанотехнологии 26 , 475701 (2015)
12. Управляемая переменным током модуляция микроволновых потерь во флюксонном метаматериале
    O.Добровольский В., Хут М., Шкловский В. А.
    Прил. Phys. Lett. 107 , 162603 (2015)

2014

1. Магнитосопротивление гранулированных наноструктур Pt-C, близких к переходу металл-изолятор
   Ф. Поррати, Р. Саксер, М. Хут
   J. Phys .: Cond. Мэтт. 26 , 085302 (2014)
2. Эффект дальнодействующей сверхпроводящей близости в поликристаллических нанопроволоках Co
   M.Компанияец, О. В. Добровольский, К. Нитцель, Ф. Поррати, Й. Бретц, В. Энсингер, М. Хут
   Прил. Phys. Lett. 104 , 052603 (2014)
3. Моделирование процесса оптимизации проводимости на месте при осаждении, индуцированном сфокусированным электронным пучком
   М. Винхолд, П. М. Вейрих, К. Х. Швальб, М. Хут
   Microelectronic Engineering 121 , 42 (2014)
4. Индуцированная близости сверхпроводимость в кристаллических нанопроволоках Cu и Co и наногранулярных структурах Co
   M.Компанияец, О. Добровольский, К. Нитцель, Э. Бегун, Ф. Поррати, В. Энсингер, М. Хут
   J. Appl. Phys. 116 , 073906 (2014)
5. Зондирование пограничного сегнетоэлектричества путем модуляции проводимости наногранулированного металла
   M. Huth, A. Rippert, R. Sachser, L. Keller
   Mater. Res. Expr. 1 , 046303 (2014)
6. Идентификация кроссовера между режимами роста с помощью измерений проводимости на месте при осаждении, индуцированном сфокусированным электронным пучком
   M.Винхолд, П. М. Вейрих, К. Х. Швальб, М. Хут
   Нанофабрикация 1 , 86 (2014)
7. Сверхпроводимость в системе Mo _x C _y Ga _z O _δ , полученная методом индуцированного осаждения сфокусированным ионным пучком
   П. М. Вейрих, К. Х. Швальб, М. Винхолд, М. Хут
   J. Appl. Phys. 115 , 174315 (2014)
8. Диэлектрическое зондирование путем модуляции энергии заряда в наногранулированном металле
   M.Huth, F. Kolb, H. Plank
   Appl. Phys. А 117 , 1689 (2014)
9. Каталитическая очистка непосредственно записанных наноструктур Pt
   R. Sachser, H. Reith, D. Huzel, M. Winhold, and M. Huth
   ACS Appl. Матер. Интерфейсы 6 , 15868 (2014)
10. Спин-зависимый перенос между ферромагнитными наностолбиками через наногранулированную металлическую матрицу
    Ф. Поррати, Э. Бегун, Р. Саксер, М. Хут
    J.Phys. Д 47 , 495001 (2014)
11. Сверхпроводимость и металлическое поведение в структурах Pb _x C _y O _δ , полученных осаждением, индуцированным сфокусированным электронным пучком
    M. Winhold, P. M. Weirich, C.H.Swalb, M. Huth
    Appl. Phys. Lett. 105 , 162603 (2014)
12. Перемагничивание с помощью полуантивихревых состояний в наноструктурированных круговых дисках Co
    A. Lara, O.Добровольский, Дж. Л. Прието, М. Хут, Ф. Г. Алиев
    Прил. Phys. Lett. 105 , 182402 (2014)

2013

1. Повышающее преобразование микроволн с шумом за счет вихрей в тонкопленочных сверхпроводниках с потенциалом пиннинга стиральной доски под напряжением постоянного тока
   V.A. Шкловский, О. Добровольский, М. Хут
   J. Supercond. Ноябрь Магнит. 26 , 2079 (2013)
2. Состав материала — корреляция прочности пиннинга в тонких пленках ниобия с наноструктурами стиральной доски, фрезерованными сфокусированным ионным пучком
   O.В. Добровольский, Э. Бегун, М. Хут, В.А. Шкловский
   Physica C 494 , 102 (2013)
3. Переменные туннельные барьеры в нанокомпозитах на основе PtC с металлической матрицей на основе FEBID в качестве преобразовательного элемента для измерения влажности
   F. Kolb, K. Schmoltner, M. Huth, A. Hohenau, J. Krenn, A. Klug, E.J.W. Лист, Х. Планк
   Нанотехнологии 24 , 305501 (2013)
4. Синтез нанопроволок с помощью осаждения, индуцированного сфокусированным ионным пучком гелия и неона, с помощью ионного микроскопа в газовом поле
   H.М. Ву, Л. Стерн, Дж. Х. Чен, М. Хут, К. Х. Швалб, М. Винхолд, Ф. Поррати, К. М. Гонсалес, Р. Тимилсина, П. Д. Рэк
   Нанотехнологии 24 , 175302 (2013)
5. Изготовление и электрические транспортные свойства бинарных наноструктур Co-Si, полученных осаждением, индуцированным сфокусированным электронным пучком
   Ф. Поррати, Б. Кэмпкен, А. Терфорт, М. Хут
   J. Appl. Phys. 113 , 053707 (2013)
6. Оптимизация роста in-situ при осаждении, индуцированном сфокусированным электронным пучком
   P.М. Вейрих, М. Винхолд, гл. H. Schwalb, M. Huth
   Beilstein J. Nanotechn. 4 , 919 (2013)

2012

1. Флюксонные свойства вихрей в потенциале закрепления стиральной доски, созданного методами сфокусированного пучка частиц
   О.В. Добровольский, М. Хут, В.А. Шкловский
   Конгресс по достижениям в прикладной физике и материаловедении, Анталия, Турция, 12-15 мая 2011 г.
   Acta Physica Polonica A 121 , 82 (2012)
2. Фильтр с регулируемым током на сверхпроводящих пленках с наклонным потенциалом закрепления стиральной доски
   O.В. Добровольский, В. А. Шкловский, М. Хут
   Конференция, посвященная столетию сверхпроводимости, Гаага, Нидерланды, 18-23 сентября 2011 г .; опубликовано в Physics Proceedia 36 , 9 (2012)
3. Комнатная температура L1 ₀ фазовое превращение в бинарных наноструктурах CoPt, полученных путем осаждения под действием сфокусированного электронного пучка
   Ф. Поррати, Э. Бегун, М. Винхолд, Ч. Х. Швальб, Р. Саксер, А. С. Франгакис, М. Хут
   Нанотехнологии 23 , 185702 (2012)
4. Эффект Джозефсона в микромостике CeCoIn ₅
   O.Фоевцов, Ф. Поррати, М. Хут
   Physica C 480 , 6 (2012)
5. Взаимосвязи структура-свойство в электронном транспорте в структурах FEB
   М. Хут в нанопроизводстве с использованием сфокусированных ионных и электронных пучков: принципы и приложения
   Филипп Э. Рассел, Иво Утке, Станислав Мошкалев (ред.)
   Oxford University Press (2012 г.) ), ISBN13: 9780199734214
6. Переход от грязного к чистому сверхпроводящему пределу в тонких пленках Nb, напыленных магнетроном на постоянном токе
   O.Добровольский В., Хут М.
   Тонкие твердые пленки 520 , 5985 (2012)
7. Радиационно-индуцированные наноструктуры: процессы образования и приложения (редакционная статья)
   M. Huth
   Beilstein J. Nanotechn. 3 , 533 (2012)
8. Спонтанная диссоциация Co ₂ (CO) ₈ и автокаталитический рост Co на SiO ₂ : совместное экспериментальное и теоретическое исследование
   K.Muthukumar, H.O. Jeschke, R. Valenti, E. Begun, J. Schwenk, F. Porrati, and M. Huth
   Beilstein J. of Nanotechn. 3 , 546 (2012)
9. Направленное осаждение кремниевых нанопроволок с использованием неопентасилана в качестве прекурсора и золота в качестве катализатора
   Бритта Кэмпкен, Верена Вульф, Норберт Аунер, Марсель Винхолд, Майкл Хут, Андреас Терфорт
   Байльштейн Дж. Нанотех. 3 , 535 (2012)
10. Осаждение, индуцированное сфокусированным электронным пучком: перспектива.Нанотех. 3 , 597 (2012)
11. Электротранспортные и закрепляющие свойства тонких пленок ниобия с рисунком из фрезерованных сфокусированным ионным пучком наноструктур стиральной доски
    Александр В. Добровольский, Евгения Бегун, Майкл Хут, Валерий А. Шкловский
    New J. Phys. 14 , 113027 (2012)

2011

1. Осаждение, индуцированное сфокусированным электронным пучком — Принципы и применение
   M.Huth
   Proceedings of Beilstein Symposium Functional Nanosciences , Bozen, Italy (2010), p. 193-211
2. Изготовление искусственных анизотропных структур пиннинга в тонких пленках ниобия
   О. В. Добровольский, М. Хут, В. А. Шкловский
   J. Supercond. Ноябрь, магн. 24 , 375 (2011)
3. Регулировка электропроводности Pt-содержащих гранулированных металлов с помощью облучения электронами после роста
   F.Porrati, R. Sachser, C.H. Schwalb, A. Frangakis, M. Huth
   J. Appl. Phys. 109 , 063715 (2011)
4. Дефектный сдвиг пайерлсовского перехода в тонких пленках TTF-TCNQ
   В. Соловьева, М. Хут
   Синт. Встретились. 161 , 976 (2011)
5. Влияние вызванного облучением беспорядка на переход Пайерлса в микродоменах TTF-TCNQ
   В. Соловьева, А. Цмырев, Р. Саксер, Х. Рейт, М. Хут
   J.Phys. D: Прил. Phys. 44 , 385301 (2011)
6. Эффекты согласования вихревой решетки в потенциале пиннинга стиральной доски, индуцированные массивами нанополос кобальта
   О. В. Добровольский, Э. Бегун, М. Хут, В. А. Шкловский, М. Циндлехт
   Physica C 471 , 449 (2011)
7. Эффект Джозефсона в CeCoIn ₅ микромостиков в квантовой интерферометрии
   О. Фоевцов, Ф. Поррати, М. Хут
   Phys.Ред. B 84 , 045103 (2011)
8. Полевой транзистор с высоким каппа-эффектом и медь-фталоцианином
   F. Roth, M. Huth
   J. Phys. D: Прил. Phys. 44 , 375102 (2011)
9. Универсальная коррекция проводимости в перестраиваемом сильно связанном наногранулированном металле
   R. Sachser, F. Porrati, Ch. H. Schwalb, M. Huth
   Phys. Rev. Lett. 107 , 206803 (2011)
10. Магнитотранспортные свойства микропроводов железа, полученных путем автокаталитического роста, индуцированного сфокусированным электронным пучком
    F.Поррати, Р. Саксер, М.-М. Walz, F. Vollnhals, H.-P. Steinrück, H. Marbach, M. Huth
    J. Phys. D: Прил. Phys. 44 , 425001 (2011)
11. Динамика доменной стенки в одном зерне CrO ₂
    П. Дас, Ф. Поррати, С. Вирт, А. Баджпай, Ю. Оно, Х. Оно, М. Хут, Дж. Мюллер
    J. Phys .: Конф. Сер. 303 , 012056 (2011)
12. Бинарные наноструктуры Pt-Si, полученные осаждением под действием сфокусированного электронного пучка
    M.Винхолд, К. Х. Швальб, Ф. Поррати, Р. Саксер, А. С. Франгакис, Б. Кэмпкен, А. Терфорт, Н. Аунер, М. Хут
    ACS Nano 5 , 9675 (2011)

2010

1. Микрочипы для исследования тепловых и электрических свойств отдельных нанопроволок
   F. Völklein, H. Reith, M. C. Schmitt, M. Huth, M. Rauber, R. Neumann
   J. Electr. Мат. 39 , 1950 (2010)
2. Транспортные измерения на микрокристаллах ориентированных тонких пленок CeIn ₃ и CeCoIn ₅
   O.Фоевцов, Х. Рейт, М. Хут
   Тонкие твердые пленки 518 , 7064 (2010)
3. Гранулированные металлы — от электронных корреляций до приложений измерения деформации
   M. Huth
   J. Appl. Phys. 107 , 113709 (2010)
4. Искусственная зернистость в двумерных массивах наноточек, созданных осаждением, индуцированным сфокусированным электронным пучком
   Ф. Поррати, Р. Саксер, М. Штраус, И. Андрусенко, Т. Горелик, У.Колб, Л. Баярджаргал, Б. Винклер и М. Хут
   Нанотехнологии 21 , 375302 (2010)
5. Технология выращивания методом физического осаждения из паровой фазы с регулировкой температуры испарения одномерных нефермижидкостных тонких пленок TTF-TCNQ
   И. Саркар, М. Лаукс, Дж. Демокритова, А. Раффинг, С. Матиас, Дж. Вей, В. Соловьева , M. Rudloff, SS Naghavi, C. Felser, M. Huth и M. Aeschlimann
   Appl. Phys. Lett. 97 , 111906 (2010)
6. Динамика намагничивания зерна CrO ₂ , исследованная методом микроголловской магнитометрии
   P.Das, F. Porrati, S. Wirth, A. Bajpai, M. Huth, Y. Ohno, H. Ohno, J. Müller
   Appl. Phys. Lett. 97 , 042507 (2010)
7. Равномерный магниторезистивный отклик в тонких пленках Nb с наноструктурами с закреплением Washboard
   О. В. Добровольский, М. Хут, В. А. Шкловский
   Четвертый международный конгресс по перспективным электромагнитным материалам в микроволновом диапазоне и оптике, метаматериалы 2010, 528-530
8. Анизотропный магниторезистивный отклик в тонких пленках Nb, декорированных массивом полос Co
   O.Добровольский В., Хут М., Шкловский В. А.
   Сверхсекунда. Sci. Техн. 23 , 125014 (2010)
9. Настраиваемый датчик деформации на основе нанозернистых металлов
   Ch. Х. Швальб, гл. Гримм, М. Барановски, Р. Саксер, Ф. Поррати, Х. Райт, П. Дас, Дж. Мюллер, Ф. Фёлькляйн, А. Кайя, М. Хут
   Сенсоры 10 , 9847 (2010)
10. Образование межмолекулярного соединения с переносом заряда в сверхвысокомолекулярном соединении тетраметоксипирена и тетрацианохинодиметана
    K.Медяник, С. Перкерт, С. Нагави, М. Рудлофф, В. Соловьева, Д. Черка, М. Хут, С. А. Непийко, Т. Метфессель, К. Фельзер, М. Баумгартен, К. Мюллен, Х. Дж. Элмерс и Г. Schönhense
    Phys. Ред. B 82 , 245419 (2010)

2009

1. Режимы проводимости гранулированных металлов на основе W, полученных электронно-лучевым осаждением
   M. Huth, D. Klingenberger, Ch. Grimm, F. Porrati, R. Sachser
   New J. Phys. 11 , 033032 (2009)
2. Просачивание через туннель и переключение пути тока в гранулированном металле
   Ch.Grimm, D. Klingenberger, M.Huth
   J. Phys .: Conf. Сер. 150 , 022019 (2009)
3. Морфологическая изменчивость тонких пленок CeIn3, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   О. Б. Фоевцов, М. Хут
   J. Phys .: Conf. Сер. 150 , 052057 (2009)
4. Модульная система впрыска газа, совместимая со сверхвысоким вакуумом, с регулируемым потоком газа
   D. Klingenberger, M. Huth
   J. Vac. Sci. Technol. А 27 , 1204 (2009)
5. Формирование органической фазы с переносом заряда в тонких пленках донорно-акцепторной системы BEDT-TTF / TCNQ
   В.Соловьева, К. Келлер, М. Хут
   Тонкие твердые пленки 517 , 6671 (2009)
6. Переходная электрическая проводимость отложений, вызванных электронным пучком на основе W во время роста, облучения и воздействия воздуха
   Ф. Поррати, Р. Саксер, М. Хут
   Нанотехнологии 20 , 195301 (2009)
7. Жесткая запрещенная зона и переключение пути тока в упорядоченных двумерных массивах наноточек, полученных путем осаждения под действием сфокусированного электронного пучка
   R.Sachser, F. Porrati, M. Huth
   Phys. Ред. B 80 , 195416 (2009)

2008

1. Критерий стабильности множественного переключения для магнитных наночастиц
   F. Porrati, M. Huth
   J. Appl. Phys. 104 , 013917 (2008)
2. Подавление мартенситного фазового перехода на поверхности пленки Ni ₂ MnGa
   П. Перш, М. Каллмайер, Т. Эйххорн, Г. Якоб, Х.Дж. Элмерс, К.А. Jenkins, C. Felser, R. Ramesh, M. Huth
   Appl. Phys. Lett. 93 , 022501 (2008)
3. Рост и магнитный контроль структуры двойникования в тонких пленках соединения Heusler с памятью формы Ni ₂ MnGa
   К. А. Дженкинс, Р. Рамеш, М. Хут, Т. Эйххорн, П. Пёрш, Х.-Дж. Elmers, G. Jakob
   , заявл. Phys. Lett. 93 , 234101 (2008)

2007

1. Управление вихрями в конкурирующих условиях изотропного и анизотропного пиннинга — теория и эксперимент
   O.Сорока К., Шкловский В. А., Хут М.
   Phys. Ред. B 76 , 014505 (2007)
2. Рост CeCoIn ₅ тонких пленок на подложках a- и r-Al2O3
   О. К. Сорока, Г. Блендин, М. Хут
   J. Phys .: Cond. Мэтт. 19 , 56006 (2007)

2006

2005

1. Микромагнитная структура и реверсирование ядра вихря в массивах железных наноцилиндров
   F.Porrati, M. Huth
   J. Magn. Magn.Mat. 290-291 , 145 (2005)
2. Магнитные свойства наноструктур Fe на граненом альфа-Al ₂ O ₃ м-плоскость
   Дж. Остер, М. Каллмайер, Л. Виль, Х. Дж. Элмерс, Х. Адриан, Ф. Поррати, М. Хут
   J .Appl. Phys. 97 , 014303 (2005)
3. Магнитные и магнитоупругие свойства эпитаксиальных (211) -ориентированных тонких пленок RFe ₂ (R = Dy, Tb)
   Дж.Oster, L. Wiehl, H. Adrian, M. Huth
   J. Magn. Magn. Мат. 292 , 164-177 (2005)
4. HRTEM исследования тонких пленок Mo на граненом альфа-Al ₂ O ₃
   L. Wiehl, J. Oster, M. Huth
   J. Appl. Cryst. 38 , 260-265 (2005)

2004

1. Рост наноструктур Fe
   Дж. Остер, М. Хут, Л. Виль, Х. Адриан
   Дж. Магн. Magn.Мат. 272-276 , 1588-1589 (2004)
2. Диаграмма состояний в Fe наноцилиндрах
   Ф. Поррати, М. Хут
   Прил. Phys. Lett. 85 , 3157 (2004)

2003

1. Управляемое вихревое движение в пленках Nb на граненых поверхностях подложек
   О. К. Сорока, М. Хут, В. А. Шкловкий, Дж. Остер, Х. Адриан
   Physica C 388-389 , 773 (2003)

2002

1. Масштабные свойства магнитных доменных границ в трехслойных слоях Pt / Co / Pt на MgO (111)
   M.Huth, P. Haibach, H. Adrian
   J. Magn. Magn. Мат. 240 , 311-313 (2002)
2. Эпитаксиальные тонкие пленки интерметаллических соединений в Справочнике по тонкопленочным материалам
   M. Huth
   Vol. 1 (Нанесение и обработка тонких пленок), Х. С. Налва (ред.), Academic Press, Сан-Диего, 2002 г., стр. 587-626
3. Unkonventionelle Supraleitung
   Peter Thalmeier, Martin Jourdan, Michael Huth
   Physik Journal 1 , Nr.6, 51-57 (2002)
4. Высокоупорядоченные полосы Fe и Nb на граненом альфа-Al ₂ O ₃ (1010)
   M. Huth, K. A. Ritley, J. Oster, H. Dosch, H. Adrian
   Adv. Функц. Мат. 12 , 333-338 (2002)
5. Природа тяжелых квазичастиц в UPd ₂ Al ₃
   М. Дрессел, Н. Капсер, К. Петуков, Б. Горшунов, Г. Грюнер, М. Хут, Х. Адриан
   Phys. Rev. Lett. 88 , 186404 (2002)
6. Корреляционная щель в тяжелофермионном антиферромагнетике UPd2Al3
   M.Dressel, N. Kapser, K. Pethukov, D. N. Peligrad, B. Gorshunov, M. Jourdan, M. Huth, H. Adrian
   Phys. Ред. B 66 , 035110 (2002)
7. Корреляция закаленного структурного беспорядка и магнетизма в TiFe ₂ Тонкие пленки фазы Лавеса
   J. Köble, M. Huth
   Phys. Ред. B 66 , 144414 (2002)
8. Управляемое вихревое движение в граненых пленках Nb
   А. К. Сорока, М. Хут
   Low Temp. Phys. 28 , 842-844 (2002)

2001

1. Однонаправленная магнитная анизотропия, индуцированная полем в Fe ₂ Тонкие пленки Ti
   Дж. Кёбле, М. Хут
   EMMA 2000 (Киев), Форум по материаловедению 373 , 137-140 (2001), Transtech Publications
2. Влияние динамики ионных мультиплетов на электронные транспортные свойства систем с тяжелыми фермионами: полуфеноменологический подход
   F.Б. Андерс, М. Хут,
   евро. Phys. J. B 19 , 491-499 (2001)
3. Формирование возвратной фазы тонких пленок CeSb
   M. Huth, H. Meffert, J. Oster, H. Adrian
   J. Cryst. Рост 231 , 203-214 (2001)
4. Получение и структурный анализ тонких пленок Fe _{2 + x} Ti _1-x в диапазоне стабильности фазы C14 Лавеса
   J. Köble, M. Huth
   J. Cryst. Рост 234 , 666-678 (2001)

2000

1. Магнитотранспортные свойства эпитаксиальных (100) и (111) -ориентированных тонких пленок CeSb
   H.Мефферт, М. Хут, Дж. Остер, П. Хайбах, Х. Адриан
   Physica B 281 и 282 , 447-448 (2000)
2. Эффекты сильной связи в сверхпроводнике с тяжелыми фермионами UPd ₂ Al ₃
   М. Хут, М. Журдан, Х. Адриан
   Physica B 281 и 282 , 882-887 (2000) (приглашен)
3. Антиферромагнетизм и узловая структура сверхпроводящего параметра порядка UPd ₂ Al ₃
   M.Хут, М. Журдан, Х. Адриан
   евро. Phys. J. B 13 , 695-699 (2000)
4. Анизотропное распространение доменных стенок, индуцированное ступенчатым краем
   П. Хайбах, М. Хут, Х. Адриан
   Phys. Rev. Lett. 84 , 1312-1315 (2000)
5. Псевдощель в оптических спектрах UPd ₂ Al ₃
   М. Дрессел, Б. Горшунов, Н. Каспер, Б. Небендаль, М. Хут, Х. Адриан
   J. Phys .: Condens. Мэтт. 12 , L633-L640 (2000)

1999

1. Подготовка тонкой пленки системы Кондо с низкой плотностью носителя CeSb
   H.Мефферт, Дж. Остер, П. Хайбах, М. Хут, Х. Адриан
   Physica B 259-261 , 298-299 (1999)
2. Туннелирование в эпитаксиальный UPd ₂ Al ₃ Тонкие пленки
   М. Журдан, М. Хут, П. Хайбах, Х. Адриан
   Physica B 259-261 , 621-622 (1999)
3. Управление внутрислойной структурой сверхрешеток Co / Pt
   П. Хайбах, Дж. Кёбле, М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан
   Дж. Магн. Magn.Мат. 198-199 , 752-754 (1999)
4. Магнитные свойства тонких пленок UPd ₂ Al ₃ исследованы методом резонансного магнитного рассеяния рентгеновских лучей
   А. Хисс, Н. Бернхофт, С. Лангридж, К. Веттье, М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан, GH Lander
   Physica B 259-261 , 631-633 (1999)
5. Деформационная перпендикулярная намагниченность в тонких пленках TbFe ₂ (111) на LiNbO ₃
   M.Huth, C. P. Flynn
   J. Magn. Magn. Мат. 204 , 204-208 (1999)
6. Опосредованная спиновыми флуктуациями сверхпроводимость в соединении с тяжелыми фермионами UPd ₂ Al ₃
   М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан
   Nature 398 , 47-49 (1999)
7. Сверхпроводимость с тяжелыми фермионами, индуцированная антиферромагнитными спиновыми флуктуациями
   М. Хут, М. Журдан
   в Достижения в физике твердого тела 39 , Б.Крамер (редактор), Vieweg, Брауншвейг / Висбаден (1999), 351-360

1998

1. Туннельные переходы сверхпроводника с тяжелыми фермионами UPd ₂ Al ₃
   М. Журдан, М. Хут, С. Мулу, Х. Адриан
   Дж. Магн. Magn. Мат. 177-181 , 431-432 (1998)
2. Частотно-зависимая проводимость UPd ₂ Al ₃ Пленки
   М. Дрессел, Б. П.Горшунов, А.В. Пронин, А.А. Мухин, Ф. Майр, А. Сигер, П. Лункенхаймер, А. Лоидл, М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан
   Physica B 244 , 125-132 (1998)
3. Объем когерентности зонда и интерпретация экспериментов по рассеянию
   Н. Бернхёфт, А. Хисс, С. Лангридж, С. Стюно, Д. Вермейл, К. Веттье, Г. Х. Ландер, М. Хут, М. Журдан, Х. Адриан
   Phys. Rev. Lett. 81 , 3419-3422 (1998)
4. Влияние гетероэпитаксиальной деформации на фазы Лавеса TbFe ₂ и DyFe ₂
   M.Huth, C. P. Flynn
   J. Appl. Phys. 83 , 7261-7263 (1998)
5. Магнетизм и микроструктура в эпитаксиальных тонких пленках TbFe ₂
   М. Хут, К. П. Флинн
   Phys. Ред. B 58 , 11526-11533 (1998)
6. Микроструктура поверхности MgO и кристаллическая когерентность сверхрешеток Co / Pt
   П. Хайбах, Дж. Кёбле, М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан
   Тонкие твердые пленки 336 , 168-171 (1998)
7. Определение характеристик структурированных тонких пленок из сложных материалов с помощью спектромикроскопии фотопоглощения
   W.Свих, Г. Х. Фехер, М. Хут, О. Шмидт, Н.-Ф. Ченг, Ч.-К. Lin, C.-Y. Tung, Y. Hwu
   Appl. Phys. А 67 , 447-454 (1998)
8. Фотоэмиссионная микро-визуализация и спектроскопия устройств, изготовленных из сложных материалов
   GH Fecher, M. Huth, Y. Hwu, W. Swiech
   Труды 14-го Международного конгресса по электронной микроскопии, Канкун (Мексика), 31 августа — 4 Сентябрь 1998 г., стр. 321

1997

1. Температурная и угловая зависимость верхнего критического поля UPd ₂ Al ₃ Тонкие пленки
   J.Hessert, M. Huth, M. Jourdan, H. Adrian
   Physica B 230-232 , 373-376 (1997)
2. Сверхпроводящая туннельная спектроскопия на эпитаксиальном UPd ₂ Al ₃ тонких пленок
   М. Журдан, М. Хут, Дж. Хессерт, Х. Адриан
   Physica B 230-232 , 335-337 (1997)
3. Рост тонкой пленки титана на малых и больших подложках с неправильной резкой
   M. Huth, C. P. Flynn
   Appl. Phys. Lett. 71 , 2466-68 (1997)
4. Исследование сверхпроводящего состояния тонких пленок UPd ₂ Al ₃ методом туннельной спектроскопии
   M.Jourdan, M. Huth, S. Mouloud, H. Adrian
   Physica C 282-287 , 1883-1884 (1997)

1996

1. Характеристики роста тонких пленок UPt3, нанесенных методом распыления
   M. Huth, S. Reber, C. Heske, P. Schicketanz, J. Hessert, P. Gegenwart, H. Adrian
   J. Phys .: Cond. Мэтт. 8 , 8777-8786 (1996)
2. Перенормировка транспортных свойств в тонких пленках UPt3 под действием деформации
   M.Huth, J. Hessert, S. Reber, M. Jourdan, P. Gegenwart, H. Adrian
   Czech. J. Phys. 46 , 791-792 (1996)
3. Доказательства нетрадиционной сверхпроводимости в тонких пленках UPd2Al3
   М. Журдан, М. Хут, Х. Адриан
   Чехия. J. Phys. 46 , 789-792 (1996)

1995

1994

1. Сравнительные исследования фотоэмиссии Bi _2-x Pb _x Sr ₂ Ca _n-1 Cu _n O _{2n + 4 + y} (n = 2,3)
   C.С. Гопинат, С. Субраманиан, М. Хут, Х. Адриан
   Журнал электронной спектроскопии и родственных явлений 70 , 61-71 (1994)
2. UPd ₂ Al ₃ сверхпроводящие пленки с тяжелыми фермионами
   M. Huth, A. Kaldowski, J. Hessert, C. Heske, H. Adrian
   Physica B 199 & 200 , 116-118 (1994)
3. Низкотемпературное магнитосопротивление UPd ₂ Al ₃ Тонкие пленки
   J.Hessert, M. Huth, M. Jourdan, H. Adrian
   Physica C 235-240 , 2437-2438 (1994)
4. Магнитное поле и температурно-зависимый эффект Холла в UPd ₂ Al ₃ Экспитаксиальные пленки
   М. Хут, Дж. Хессерт, М. Журдан, А. Калдовски, Х. Адриан
   Physica C 235-240 , 2439 -2440 (1994)
5. Эффекты когерентности в низкотемпературном коэффициенте Холла тяжелой фермионной системы UPd ₂ Al ₃
   M.Huth, J. Hessert, M. Jourdan, A. Kaldowski, H. Adrian
   Phys. Ред. B 50 , 1309-1312 (1994)
6. Анизотропные транспортные свойства UPd ₂ Al ₃ Тонкие пленки
   Дж. Хессерт, М. Хут, М. Журдан, Х. Адриан
   Physica B 206 и 207 , 618-621 (1994)
7. Энергия активации и критический ток в UPd ₂ Al ₃
   M. Huth, J. Hessert, M. Jourdan, H.Адриан
   Physica B 206 и 207 , 615-617 (1994)

1993

1. Туннельная спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников _c -сверхпроводников
   Th. Becherer, J. Kowalewski, Th. Wolf, M. Huth, W. Assmus, H. Adrian
   Int. J. Mod. Phys. В 7 , 123 (1993)
2. Получение и исследование тонких пленок тяжелого фермионного сверхпроводника UPd ₂ Al ₃
   M.Huth, A. Kaldowski, J. Hessert, T. Steinborn, H. Adrian
   Solid State Commun. 87 , 1133-1136 (1993)

1992

1. Туннелирование разрыва переходов на Bi ₂ Sr ₂ CaCu ₂ O _{8 + d} — Монокристаллы
   Th. Becherer, J. Kowalewski, M. Schmitt, M. Huth, W. Assmus, H. Adrian
   Z. Physik B 86 , 23-27 (1992)
2. Тонкий Bi с ориентацией по оси c ₂ Sr ₂ CaCu ₂ O _{8 + d} -Пленки, полученные мгновенным испарением
   C.Штельцель, М. Хут, Х. Адриан,
   Physica C 204 , 15 (1992)

1991

1. Получение тонкой пленки, транспортные свойства и сверхпроводимость YBa ₂ Cu ₃ O ₇
   Х. Адриан, К. Томе-Роза, Г. Якоб, А. Валкенхорст, М. Мол, М. Полсон, M. Schmitt, P. Przyslupski, G. Adrian, M. Huth, Th. Becherer
   Supercond. Sci. Техн. 4 , S166 (1991)
2. Морфология поверхности и свойства электрического переноса YBa ₂ Cu ₃ O ₇ Пленки на подложках, имеющие отношение к техническому применению
   G.Адриан, Г. Грабе, В. Вилкенс, Х. Адриан, М. Хут, А. Уокенхорст
   Physica C 185-189 , 2109 (1991)
3. Получение на месте и транспортные свойства YBa ₂ Cu ₃ O ₇ Пленки на сапфире с Zr (Y) O ₂ буферных слоев
   G. Adrian, G. Grabe, W. Wilkens, H. Adrian, M. Huth, A. Walkenhorst,
   J. Appl. Phys. 70 , 6934 (1991)
4. Влияние состава и длительного отжига на поведение слабых звеньев высокотемпературного сверхпроводника (Bi, Pb) _{2 + x} Sr _2-y Ca _{2 + y} Cu _{3 + z} O _{10 + д}
   м.Хут, М. Шмитт, Х. Адриан,
   Physica C 178 , 203-212 (1991)

1990

1. Влияние длительного отжига на образование фазы 110 K в системе Bi-Pb-Sr-Ca-Cu
   G. Jakob, M. Huth, Th. Бехерер, М. Шмитт, Х. Спилле, Х. Адриан
   Physica B 165 и 166 , 1677 (1990)

Переживание и преодоление финансового стресса в супружеских парах: исследование в эпоху пандемии COVID 19

Акерман, Н., И Паолуччи Б. (1983). Объективная и субъективная адекватность дохода: их связь с воспринимаемыми показателями качества жизни. Исследование социальных показателей, 12, 25–48. https://doi.org/10.1007/BF00428859

Alsemgeest, L. (2016). Разговоры о деньгах — табу: восприятие студентов, изучающих финансовое планирование, и их значение для индустрии финансового планирования. Промышленность и высшее образование, 30 (6), 394–401. https://doi.org/10.1177/0950422216670065

Американская психологическая ассоциация (2012, январь).Гендер и стресс: пресс-релиз (январь 2012 г.). Получено с https://www.apa.org/news/press/releases/stress/2010/gender-stress

Арбелаэс-Кампильо, Д.Ф., Андреевна-Дударева, М., и Рохас-Бахамон, М.Дж. (2019). Las pandemias como factor perturbador del orden geopolítico en el mundo globalizado. Cuestiones Políticas, 36 (63).

Биенкунская, А. (29-30 ноября 2018 г.). Субъективная бедность — измерение и определения. Документ, представленный на экспертной сессии ЕЭК ООН по измерению бедности и неравенства, Вена, Австрия.Получено с https://unece.org/fileadmin/DAM/stats/documents/ece/ces/ge.15/2018/mtg1/Presentation_EmerigingII._Poland2_RUS.pdf

Blair, S. L. (Ed.) (2012). Экономический стресс и семья. Серия «Современные перспективы в исследованиях семьи», том 6. Бингли, Великобритания: Emerald Group Publishing Limited.

Боденманн, Г. (2005). Диадическое совладание и его значение для супружеской жизни. В Т. А. Ревенсон, К. Кайзер и Г. Боденманн (ред.), Десятилетие поведения. Пары, справляющиеся со стрессом: новые взгляды на диадическое совладание (стр.33–49). Вашингтон, округ Колумбия: Американская психологическая ассоциация.

Берн, С. М. (1996). Социальная психология пола. Нью-Йорк, штат Нью-Йорк: Макгроу-Хилл.

Кэмпбелл А. (1976). Субъективные меры благополучия. Американский психолог, 31, 117-124. https://doi.org/10.1037/0003-066X.31.2.117

Центр финансовой социальной работы (2020). Руководство по преодолению финансовой реальности: COVID-19 и не только. Получено с https://financialsocialwork.com/downloads/financial-reality-coping-ebook

Чуйкова Т.С. (1997). Саморегуляция деятельности при выходе человека из кризиса, связанного с потерей работы (кандидатская диссертация). Психологический институт Российской академии образования, Москва, Россия.

Конгер, Р. Д., Конгер, К. Дж., И Мартин М. Дж. (2010). Социально-экономический статус, семейные процессы и индивидуальное развитие. Журнал брака и семьи, 72, 685–704. https://doi.org/10.1111/j.1741-3737.2010.00725.x

Конгер, Р. Д., Ге, X., Старейшина, Г. Х., Лоренц, Ф. О. и Саймонс.Р. Л. (1994). Экономический стресс, принудительный семейный процесс и проблемы развития подростков. Развитие ребенка, 65 (2), 541–561. https://doi.org/10.2307/1131401

Конгер, Р. Д., Лоренц, Ф. О., Элдер, Г. Х., Саймонс, Р. Л., и Ге, X. (1993). Различия между мужем и женой в ответ на нежелательные жизненные события. Журнал здоровья и социального поведения, 34, 71-88. https://doi.org/10.2307/2137305

Дэвис, К. Г., и Мантлер, Дж. (2004). Последствия финансового стресса для отдельных лиц, семей и общества.Оттава, Канада: Университет Карлтона, Центр исследований стресса, преодоления трудностей и благополучия.

Истерлин, Р. А., и Савангфа, О. (2007). Счастье и удовлетворение сферой деятельности: теория и доказательства [IZA Discussion Papers 2584]. Бонн, Германия: Институт экономики труда (IZA).

Эйдемиллер, Э. Г. (2006). Шкала семейной адаптации и сплоченности (ЛИЦА III). В И. В. Добрякове, И. М. Никольской, Э. Эйдемиллер, Семейная диагностика и семейная психотерапия, 2-е издание, исправленное и расширенное (стр.68-73). Санкт-Петербург, Россия: Речь. Получено с https://www.twirpx.com/file/183486/ ​​

Falconier, M. K., & Kuhn, R. (2019). Диадическое совладание в парах: концептуальная интеграция и обзор эмпирической литературы. Границы в психологии, 10, статья 571. https://doi.org/10.3389/fpsyg.2019.00571

Folkman, S., & Lazarus, R.S. (1988). Пособие по способам совладания с анкетой. Пало-Альто, Калифорния: Консультации психологов Press.

Франкхэм, К. Ричардсон, Т., & Магуайр Н. (2020). Психологические факторы, связанные с финансовыми трудностями и психическим здоровьем: систематический обзор. Clinical Psychology Review, 77, 101832. https://doi.org/10.1016/j.cpr.2020.101832

Hilpert, P., Xu, F., Milek, A., Atkins, DC, Bodenmann, G., & Брэдбери, Теннесси (2018). Пары справляются со стрессом: различия между людьми и внутриличностные процессы. Журнал семейной психологии, 32 (3), 366–374. https://doi.org/10.1037/fam0000380

Иида, М., Сайдман, Г., & Шраут П. Э. (2018). Модели взаимозависимых людей против диадических процессов в исследовании отношений. Журнал социальных и личных отношений, 35 (1), 59-88. https://doi.org/10.1177/0265407517725407

Джахода, М. (1988). Экономический спад и психическое здоровье: некоторые концептуальные вопросы. Журнал социальных проблем, 44 (4), 13-23. https://doi.org/10.1111/j.1540-4560.1988.tb02089.x

Карадемас, Э. К., и Русси, П. (2016). Финансовое напряжение, диадическое совладание, удовлетворение отношениями и психологический стресс: исследование диадической медиации в греческих парах.Стресс и здоровье: журнал Международного общества исследования стресса, 33 (5), 508-517. https://doi.org/10.1002/smi.2735

Карни Б. Р. и Брэдбери Т. Н. (1995). Продольный курс качества и стабильности брака: обзор теории, методов и исследований. Психологический бюллетень, 118 (1), 3–34. https://doi.org/10.1037/0033-2909.118.1.3

Карташова Т. Е. (2013). Психологические детерминанты и особенности предотвращения деструктивных супружеских конфликтов в условиях кризиса брачно-семейных отношений (кандидатская диссертация).Российский центр экстренной и радиационной медицины, Санкт-Петербург, Россия. Взято с http://www.dslib.net/med-psixologia/psihologicheskie-determinanty-i-osobennosti-profilaktiki-destruktivnyh-supruzheskih.html

Хащенко В.А. (2011). Субъективное экономическое благополучие и его измерение: построение анкеты
и его проверка. Экспериментальная психология (Россия), 4 (1), 106–127.

Хащенко В.А. (2012). Психология экономического благополучия. Москва, Россия: Институт психологии РАН.

Корниенко И. О. (2018). Генезис совладающего поведения в жизненном пространстве личности (докторская диссертация). Институт психологии им. Г.С.Костюка Национальной академии педагогических наук Украины, Киев, Украина. Получено с http://psychology-naes-ua.institute/read/1392/ ​​

Королева Е. М., Крюкова Т. Л. (2016). Диадический копинг как фактор положительной динамики супружеских отношений. В Т. Л. Крюковой, М. В. Сапоровской и С. А. Хазовой (ред.), Психология стресса и совладающего поведения: ресурсы, здоровье, развитие: Материалы IV Международной научной конференции в Костроме, 22-24 сентября 2016 г. (Том 2, с. 61-64). Кострома, Россия: Костромской государственный университет им. Н. А. Некрасова.

Крюкова Т. Л. (2010). Методы обучения справляющемуся поведению: три шкалы совладания. Кострома, Россия: Костромской государственный университет им. Н.А. Некрасова: Авантитул. Получено с http://www.coping-kostroma.com/index.php/content/books/40-methods

Kuftyak, E.В. (2012). Концепция выживания семьи: основные моменты. Медицинская психология в России, 5 (16). Получено с http://www.mprj.ru/archiv_global/2012_5_16/nomer/nomer10.php

Кузьменкова Л.В., Кусков Д.В. (2019). Индивидуальные и личностные характеристики клиентов с разными типами экономического самосознания в ситуациях субъективной неудовлетворенности уровнем экономического благополучия. Научные записки Санкт-Петербургского государственного института психологии и социальной работы, 32 (2), 31-40.

Лайкер, Дж. К., и Элдер, Г. Х. (1983). Экономические трудности и супружеские отношения в 1930-е гг. Американский социологический обзор, 48 (3), 343–359. https://doi.org/10.2307/2095227

MacCrae, R., & Costa, P. (1986). Личность, совладание и эффективность совладания на выборке взрослых. Журнал личности, 54 (2), 385–405. https://doi.org/10.1111/j.1467-6494.1986.tb00401.x

Маккуббин, Х. И., и Паттерсон, Дж. М. (1983). Процесс семейного стресса: двойная модель адаптации и адаптации ABCX.Обзор брака и семьи, 6 (1-2), 7–37. https://doi.org/10.1300/J002v06n01_02

McWhinney, J. (2019, 25 июня). 6 главных проблем с деньгами, убивающими брак. Инвестопедия. Получено с https://www.investopedia.com/articles/pf/09/marriage-killing-money-issues.asp

Муздыбаев К. (2001). Переживание бедности как социальной неудачи: присвоение ответственности, стратегии выживания и индикаторы депривации. Социологический журнал, 1, 5-32.

Национальная сеть детского травматического стресса (2020).Как справиться с трудностями: информационный бюллетень для родителей. Лос-Анджелес, Калифорния: Национальный центр детского травматического стресса.

Олсон, Д. Х. (1991). Трехмерная (3-D) круговая модель и пересмотренная оценка FACES III. Семейный процесс, 30 (1), 74-79. https://doi.org/10.1111/j.1545-5300.1991.00074.x.

Пинскер Дж. (2 марта 2020 г.). Почему так много американцев не говорят о деньгах. Табу различаются в зависимости от класса, работы и обстоятельств. Атлантический океан. Получено с https://www.theatlantic.com/family/archive/2020/03/americans-dont-talk-about-money-taboo/607273/

Плотников, С.Г., Сперлин А.В. (2014). Оценка различий в стратегиях экономического поведения в зависимости от уровня субъективного экономического благополучия. Вестник НГУНУ, 2, 202-212.

Рор, М. К., Нестлер, С., и Кунцманн, У. (2019). Общая проблема — это проблема вдвое: возрастные различия в эмоциональном переживании и выражении во время разговоров пар. Психология и старение, 34 (6), 848-861. https://doi.org/10.1037/pag0000386

Rusu, P. P., Nussbeck, F. W., Leuchtmann, L., & Боденманн. Г. (2020). Стресс, диадическое совладание и удовлетворенность отношениями: продольное исследование, позволяющее отделить своевременную стабильность от годовых колебаний. PLoS ONE, 15 (4), e0231133. https://doi.org/10.1371/journal.pone.0231133

Шеллеби, Э. К. (2018). Экономический стресс в уязвимых семьях: пути к дезадаптации родителей и детей. Журнал исследований ребенка и семьи, 27, 3877–3886. https://doi.org/10.1007/s10826-018-1232-z

Шипова Н.С. (2020). Справляющееся поведение в диадических отношениях партнера с нормальным и нарушенным развитием.Вестник Самарского государственного технического университета, Серия: Психология и педагогика, 1 (45), 180-196. https://doi.org/10.17673/vsgtu-pps.2020.1.13

Стрампель Б. (1974). Экономическое благополучие как объект социального измерения. В: Б. Стрампель (ред.), Субъективные элементы благополучия (стр. 75-122). Париж, Франция: Организация экономического сотрудничества и развития.

Такеучи, Д. Т., Уильямс, Д. Р., и Адаир, Р. К. (1991). Экономический стресс в семье и эмоциональные и поведенческие проблемы детей.Журнал брака и семьи, 53 (4), 1031-1041. https://doi.org/10.2307/353006

Трахтман Р. (1999). Табу на деньги: его влияние на повседневную жизнь и практику психотерапии. Журнал клинической социальной работы, 27, 275-288. https://doi.org/10.1023/A:1022842303387

Тран, А. Г., Лам, К. К., и Легг, Э. (2018). Финансовый стресс, социальная поддержка, пол и беспокойство во время учебы в колледже: перспектива снятия стресса. Психолог-консультант, 46 (7), 846–869. https: // doi.org / 10.1177 / 0011000018806687

Винховен Р. (2018). Субъективное благополучие народов. В Э. Динер, С. Оиши и Л. Тай (ред.), Справочник благополучия. Солт-Лейк-Сити, Юта: DEF Publishers.

Змановская, Е.В. (2020). Психология семьи: основы брачного консультирования и семейной психотерапии. Москва, Россия: ИНФРА-М. Получено с https://znanium.com/catalog/document?id=361094.

Разработка проектного исследования для определения качественных показателей потенциального API.1. вновь синтезированные вещества для первичного фармакологического скрининга

Carey, J. S., Laffan, D .; Блэкер, Дж., Уильямс, М. Т. (ред.) (2011). Активные фармацевтические ингредиенты: структура и влияние на синтез. Разработка фармацевтического процесса: текущие химические и инженерные проблемы, 39–65. DOI: http://doi.org/10.1039/9781849733076-00039

Хонда, Т. (2012). Исследование инновационного синтеза биологически активных соединений на основе новых реакций.Химико-фармацевтический бюллетень, 60 (6), 687–705. DOI: http://doi.org/10.1248/cpb.60.687

Чжун, W.-Z., Zhou, S.-F. (2014). Молекулярная наука для разработки лекарств и биомедицины. Международный журнал молекулярных наук, 15 (11), 20072–20078. DOI: http://doi.org/10.3390/ijms151120072

Пол, С. М., Мителка, Д. С., Данвидди, К. Т., Персингер, К. К., Мунос, Б. Х., Линдборг, С. Р., Шахт, А. Л. (2010). Как повысить продуктивность НИОКР: грандиозная задача фармацевтической отрасли.Nature Reviews Drug Discovery, 9, 203–214. DOI: http://doi.org/10.1038/nrd3078

Чжоу, С.-Ф., Чжун, В.-З. (2017). Дизайн и открытие лекарств: принципы и применение. Молекулы, 22 (2), 279. doi: http://doi.org/10.3390/molecules22020279

Адамс, К. П., Брантнер, В. В. (2003). Разработка новых лекарств: оценка вступления в клинические испытания на людях. Бюро экономики Федеральной торговой комиссии, 24.

Эльхасса, Г. О., Альфарук, К. О. (2015). Разработка лекарств: этапы разработки лекарств. Журнал фармаконадзора, 3 (3). DOI: http://doi.org/10.4172/2329-6887.1000e141

Фармацевтическая промышленность в цифрах (2019). Ключевые данные. Доступно по адресу: https://www.efpia.eu/media/412931/the-pharmaceutical-industry-in-figures-2019.pdf

Джексон, К. М., Эснуф, М. П., Винзор, Д. Дж., Дьювер, Д. Л. (2007). Определение и измерение биологической активности: применение принципов метрологии.Аккредитация и обеспечение качества, 12 (6), 283–294. DOI: http://doi.org/10.1007/s00769-006-0254-1

Комитет Национального исследовательского совета (США) по проблемам химических наук в 21 веке. За пределами молекулярных границ: проблемы химии и химической инженерии (2003). Вашингтон (округ Колумбия): National Academies Press (США), 3, Синтез и производство: создание и использование новых веществ и новых преобразований. Доступно на: https://www.ncbi.nlm.nih.gov/books/NBK207669/

Тейлор Д. (2015). Фармацевтическая промышленность и будущее разработки лекарств. Фармацевтика в окружающей среде, 1–33.

Директива 75/318 / EEC по химии активных веществ. 1987. Доступно по адресу: https://www.ema.europa.eu/en/documents/scientific-guideline/chemistry-active-substances-superseded-document_en.pdf

Рама Рао, Н., Мани Киран, С. С., Прашанти, Н. Л. (2010). Фармацевтические примеси: обзор.Индийский журнал фармацевтического образования и исследований, 44 (3), 301–310.

Кок, И., Электронная торговля, Э. (2012). Обзор примесей в фармацевтических препаратах: токсикологические аспекты. Азиатские химические письма, 16 (1), 87–97.

Гармонизированное трехстороннее руководство ICH: Q3A (R2) Примеси в новых веществах (2006). Международная конференция по гармонизации технических требований к регистрации фармацевтических препаратов для человека (ICH), 15.

Галлоуэй, W.Р. Дж. Д., Исидро-Льобет, А., Спринг, Д. Р. (2010). Синтез, ориентированный на разнообразие, как инструмент открытия новых биологически активных малых молекул. Nature Communications, 1 (1). DOI: http://doi.org/10.1038/ncomms1081

Чандраванши, Х., Пилания, У., Манчандани, П., Джайн, П., Сингх, Н., Пилания, К. (2010). Последние тенденции в профиле примесей в фармацевтических препаратах. Журнал передовых фармацевтических технологий и исследований, 1 (3), 302–310. doi: http://doi.org/10.4103 / 0110-5558.72422

Келче, В. Р., Касл, К. Э., Ндикум-Моффор, Ф. М., Паттон, Л. М. (2017). Примеси лекарственных веществ и лекарственных препаратов, что теперь? Министерство юстиции США по токсикологии, 3 (1), 9–13. DOI: http://doi.org/10.15406/mojt.2017.03.00043

Макдональд, К., Хо, К. (2012). ICH Q11: разработка и производство лекарственных субстанций — химических и биотехнологических / биологических объектов. Журнал «Инициатива по дженерикам и биосимилярам», 1 (3-4), 142–144. doi: http: // doi.org / 10.5639 / gabij.2012.0103-4.025

Державна Фармакопея Украины. Т. 1 (2015). Харьков: Державне пидприемство «Украинский научный фармакопейный центр якостей ликарских засобив», 1128.

Европейская фармакопея (2018). Европейское управление качества лекарственных средств и здравоохранения Совета Европы. Vol. 6. Страсбург. Доступно по адресу: http://online6.edqm.eu/ep900/

Фармакопея США, 41 – NF 36 (2018).Фармакопейная конвенция США. Роквилл. Доступно на: https://www.usp.org/

EMA / CHMP / CVMP / QWP / BWP / 70278/2012-Rev. 1. Руководство по валидации процесса для готовой продукции — информация и данные должны быть предоставлены в регулирующих документах (2014 г.). Доступно по адресу: https://www.ema.europa.eu/en/documents/scientific-guideline/draft-guideline-process-validation-revision-1_en.pdf

Ляпунов М., Безухла О., Соловьев О. и др. в. (2012). Стандартизация фармацевтической продукции.Харьков: Морион, 728.

Ветютнева Н.О., Убохов С.Х., Пилипчук Л.Б., Федорова Л.О., Тодорова В.И., Будникова Т.М. и др. в. (2014). Suchasnyi stan ta тенденции розвитки нормативно-правового регулирования у сфери забезпеченения якостей ликарских засобив. Фармацевтический журнал, 3, 66–74.

Гислиери, Д., Гилмор, К., Сиберг, П. Х. (2015). Системы химической сборки: многоуровневый контроль для дивергентного, непрерывного, многоступенчатого синтеза активных фармацевтических ингредиентов.Angewandte International Edition Chemie, 54 (2), 678–682. DOI: http://doi.org/10.1002/anie.201409765

Украинец И., Бурьян А., Баумер В., Шишкина С., Сидоренко Л., Тугайбей И. и др. al. (2018). Синтез, кристаллическая структура и биологическая активность полиморфных форм этил-4-метил-2,2-диоксо-1H-2λ6,1-бензотиазин-3-карбоксилата. Scientia Pharmaceutica, 86 (2), 21. doi: http://doi.org/10.3390/scipharm86020021

Украинец, И., Хамза, Г., Буриан А., Волощук Н., Мальченко О., Шишкина С. и др. al. (2018). Молекулярные конформации и биологическая активность N-гетарил (арил) алкил-4-метил-2,2-диоксо-1H-2λ6,1-бензотиазин-3-карбоксамидов. Scientia Pharmaceutica, 86 (4), 50. doi: http://doi.org/10.3390/scipharm86040050

Ямано, А. (2013). Специальная статья: Фармацевтический анализ (2). Открытие лекарств с помощью рентгеноструктурного анализа монокристаллов. Журнал Ригаку, 29 (2), 4–7.

Марион, Д.(2013). Введение в биологическую ЯМР-спектроскопию. Молекулярная и клеточная протеомика, 12 (11), 3006–3025. DOI: http://doi.org/10.1074/mcp.o113.030239

Пеллеккья, М., Сем, Д. С., Вютрих, К. (2002). Nmr в открытии лекарств. Nature Reviews Drug Discovery, 1 (3), 211–219. DOI: http://doi.org/10.1038/nrd748

Бергер С., Браун С. (ред.) (2004). 200 и более экспериментов ЯМР: Практический курс. Вайнхайм, 838.

Ширази, З., Каргоша, К. (2015). Определение содержания воды в кристаллических твердых фармацевтических веществах при различных процентах относительной влажности. Фармацевтические науки, 21 (3), 127–135. DOI: http://doi.org/10.15171/ps.2015.27

Холм Р., Элдер Д. П. (2016). Аналитические достижения в профилировании фармацевтических примесей. Европейский журнал фармацевтических наук, 87, 118–135. DOI: http://doi.org/10.1016/j.ejps.2015.12.007

Снеддон, Дж., Масурам, С., Ричерт, Дж. К. (2007). Газовая хроматография — масс-спектрометрия — основные принципы, приборы и отдельные применения для обнаружения органических соединений. Аналитические письма, 40 (6), 1003–1012. DOI: http://doi.org/10.1080/00032710701300648

Обеспечение качества фармацевтических препаратов. Сборник руководств и сопутствующих материалов (2007 г.). Vol. 2. Второе обновленное издание. Женева: Всемирная организация здравоохранения. Надлежащая производственная практика и контроль, 46.

Фогт, Ф.Г., Корд А. С. (2011). Разработка аналитических методов качества при проектировании. Журнал фармацевтических наук, 100 (3), 797–812. DOI: http://doi.org/10.1002/jps.22325

% PDF-1.4 % 1 0 obj> endobj 2 0 obj> endobj 3 0 obj> endobj 4 0 obj >>> / Contents [140 0 R 141 0 R 142 0 R] / MediaBox [0 0,01 789,1 1047,36] >> endobj 5 0 obj >> > / Содержание [144 0 R 145 0 R 146 0 R] / MediaBox [0 -0,02 748,8 1021,68] >> endobj 6 0 obj >>> / Содержание [148 0 R 149 0 R 150 0 R] / MediaBox [0 -0.01746.9 1017.84] >> endobj 7 0 obj >>> / Содержание [152 0 R 153 0 R 154 0 R] / MediaBox [0 0 748,8 1028,4] >> endobj 8 0 obj >>> / Contents [156 0 R 157 0 R 158 0 R] / MediaBox [0 0,02 709,9 984,72] >> endobj 9 0 объект >>> / Содержание [160 0 R 161 0 R 162 0 R] / MediaBox [0 -0,02 762,95 1048,08] >> endobj 10 0 obj >>> / Содержание [164 0 R 165 0 R 166 0 R] / MediaBox [0 0 784,3 1042,8] >> endobj 11 0 объект >>> / Содержание [168 0 R 169 0 R 170 0 R] / MediaBox [0 0,02 796.55 1015.92] >> endobj 12 0 obj >>> / Contents [172 0 R 173 0 R 174 0 R] / MediaBox [0 0,01 774.95 1041.36] >> endobj 13 0 obj >>> / Содержание [176 0 R 177 0 R 178 0 R] / MediaBox [0 -0,01 781,45 1021,44] >> endobj 14 0 obj >>> / Содержание [180 0 R 181 0 R 182 0 R] / MediaBox [0 0 791,75 1044] >> endobj 15 0 obj >>> / Contents [184 0 R 185 0 R 186 0 R] / MediaBox [0 -0,02 793,2 1016,88] >> endobj 16 0 obj >>> / Contents [188 0 R 189 0 R 190 0 R ] / MediaBox [0 0,01 785.3 1035.36] >> endobj 17 0 obj >>> / Contents [192 0 R 193 0 R 194 0 R] / MediaBox [0 -0.02 755.3 1009.68] >> endobj 18 0 obj >>> / Contents [196 0 R 197 0 198 0 руб.] / MediaBox [0 0 791.75 1044] >> endobj 19 0 obj >>> / Contents [200 0 R 201 0 R 202 0 R] / MediaBox [0 -0.01 750.95 1026.24] >> endobj 20 0 obj >>> / Contents [204 0 руб. 205 0 руб. 206 0 R] / MediaBox [0 0 791,75 1044] >> endobj 21 0 obj >>> / Содержание [208 0 R 209 0 210 0 R] / MediaBox [0 0,02 748,55 1033.92] >> endobj 22 0 obj >>> / Содержание [212 0 R 213 0 R 214 0 R] / MediaBox [0 0 791,75 1044] >> endobj 23 0 obj >>> / Contents [216 0 R 217 0 R 218 0 R] / MediaBox [0 0,01 743,05 1041,36] >> endobj 24 0 объект >>> / Содержание [220 0 R 221 0 R 222 0 R] / MediaBox [0 -0,02 798,7 1038,48] >> endobj 25 0 obj >>> / Содержание [224 0 R 225 0 R 226 0 R] / MediaBox [0 0,01 757,45 1044,96] >> endobj 26 0 obj >>> / Содержание [228 0 R 229 0 R 230 0 R] / MediaBox [0 0 791,75 1029.6] >> endobj 27 0 obj >>> / Содержание [232 0 R 233 0 R 234 0 R] / MediaBox [0 0,02 746,9 1038,72] >> endobj 28 0 obj >>> / Contents [236 0 R 237 0 R 238 0 R] / MediaBox [0 -0,02 798,7 1038,48] >> endobj 29 0 obj >>> / Contents [240 0 R 241 0 R 242 0 R] / MediaBox [0 0,02 736.55 1007.52] >> endobj 30 0 obj >>> / Contents [244 0 R 245 0 R 246 0 R] / MediaBox [0 0,02 774.95 1030.32] >> endobj 31 0 obj >>> / Contents [248 0 R 249 0 R 250 0 R] / MediaBox [0 -0,02 760.3 1032.48] >> endobj 32 0 obj >>> / Contents [252 0 R 253 0 R 254 0 R] / MediaBox [0 0 791.75 1029.6] >> endobj 33 0 obj >>> / Contents [256 0 R 257 0 р 258 0 R] / MediaBox [0 0 765.1 1009.2] >> endobj 34 0 obj >>> / Contents [260 0 R 261 0 R 262 0 R] / MediaBox [0 0,01 785,3 1020,96] >> endobj 35 0 obj >>> / Содержание [264 0 R 265 0 R 266 0 R] / MediaBox [0 -0,01 752,65 1031,04] >> endobj 36 0 obj >>> / Содержание [268 0 R 269 0 R 270 0 R] / MediaBox [0 -0,02 770.9 1033.68] >> endobj 37 0 obj >>> / Содержание [272 0 R 273 0 R 274 0 R] / MediaBox [0 0 764,15 1046.4] >> endobj 38 0 obj >>> / Содержание [276 0 R 277 0 R 278 0 R] / MediaBox [0 -0,02 748,55 1021,68] >> endobj 39 0 obj >>> / Contents [280 0 R 281 0 R 282 0 R] / MediaBox [0 0 756 1057.2] >> endobj 40 0 ​​obj >>> / Contents [284 0 R 285 0 R 286 0 R] / MediaBox [0 -0,01 756,25 1038.24] >> endobj 41 0 obj >>> / Contents [288 0 R 289 0 R 290 0 R] / MediaBox [0 0,02 746.9 1038.72] >> endobj 42 0 obj >>> / Contents [292 0 R 293 0 R 294 0 R] / MediaBox [0 -0.01 756,25 1038,24] >> endobj 43 0 obj >>> / Contents [296 0 R 297 0 R 298 0 R] / MediaBox [0 0 739.45 1029.6] >> endobj 44 0 obj >>> / Contents [300 0 R 301 0 302 руб.] / MediaBox [0 -0,01 756,25 1038,24] >> endobj 45 0 obj >>> / Contents [304 0 R 305 0 R 306 0 R] / MediaBox [0 -0,02 750,95 1042.08] >> endobj 46 0 obj >>> / Contents [ 308 0 руб. 309 0 руб. 310 0 R] / MediaBox [0 0.01 749.05 1041.36] >> endobj 47 0 obj >>> / Contents [312 0 R 313 0 R 314 0 R] / MediaBox [0 -0.02 739.2 1036.08] >> endobj 48 0 obj >>> / Содержание [316 0 R 317 0 R 318 0 R] / MediaBox [0 0,01 749,05 1031,76] >> endobj 49 0 obj >>> / Contents [320 0 R 321 0 R 322 0 R] / MediaBox [0-0,01 765,1 1046,64] >> endobj 50 0 obj >>> / Содержание [324 0 R 325 0 R 326 0 R] / MediaBox [0 0,02 769,9 1069,92] >> endobj 51 0 obj >>> / Содержание [328 0 R 329 0 R 330 0 R] / MediaBox [0 0.02 748,8 1048,32] >> endobj 52 0 obj >>> / Contents [332 0 R 333 0 R 334 0 R] / MediaBox [0 -0,01 733,45 1019,04] >> endobj 53 0 obj >>> / Contents [336 0 R 337 0 R 338 0 R] / MediaBox [0 0 735.1 1038] >> endobj 54 0 obj >>> / Contents [340 0 R 341 0 R 342 0 R] / MediaBox [0 0,01 759,6 1018,56] >> endobj 55 0 obj >>> / Contents [344 0 R 345 0 346 руб.] / MediaBox [0 0 733,7 1038] >> endobj 56 0 obj >>> / Содержание [348 0 R 349 ​​0 R 350 0 R] / MediaBox [0 0,01 769.7 1047.36] >> endobj 57 0 obj >>> / Содержание [352 0 R 353 0 R 354 0 R] / MediaBox [0 0,02 731,3 1037,52] >> endobj 58 0 obj >>> / Contents [356 0 R 357 0 R 358 0 R] / MediaBox [0 0,01 781,45 1032,96] >> endobj 59 0 obj >>> / Contents [360 0 361 0 руб. 362 0 R] / MediaBox [0 -0,01 736,3 1050,24] >> endobj 60 0 obj >>> / Contents [364 0 R 365 0 R 366 0 R] / MediaBox [0 -0,01 773,3 1044,24] >> endobj 61 0 obj >>> / Содержание [368 0 R 369 0 руб. 370 0 руб.] / MediaBox [0 0.02 763,7 1049,52] >> endobj 62 0 obj >>> / Содержание [372 0 R 373 0 R 374 0 R] / MediaBox [0 0,01 765,6 1066,56] >> endobj 63 0 obj >>> / Содержание [376 0 R 377 0 R 378 0 R] / MediaBox [0 0,01 746,15 1030,56] >> endobj 64 0 obj >>> / Содержание [380 0 R 381 0 R 382 0 R] / MediaBox [0 0,01 778,55 1062,96] >> endobj 65 0 obj >>> / Contents [384 0 R 385 0 R 386 0 R] / MediaBox [0 -0,01 744,7 1041,84] >> endobj 66 0 obj >>> / Contents [388 0 R 389 0 R 390 0 R] / MediaBox [0 -0.01 756.25 1051.44] >> endobj 67 0 obj >>> / Contents [392 0 R 393 0 R 394 0 R] / MediaBox [0 -0.01 740.4 1039.44] >> endobj 68 0 obj >>> / Contents [396 0 R 397 0 R 398 0 R] / MediaBox [0 0,02 782,9 1045,92] >> endobj 69 0 obj >>> / Contents [400 0 R 401 0 R 402 0 R] / MediaBox [0 0 721.9 1034.4] >> endobj 70 0 obj >>> / Contents [ 404 0 руб. 405 0 руб. 406 0 R] / MediaBox [0 0,02 762,25 1019,52] >> endobj 71 0 obj >>> / Содержание [408 0 R 409 0 410 0 R] / MediaBox [0-0.01 758.4 1050.24] >> endobj 72 0 obj >>> / Содержание [412 0 R 413 0 R 414 0 R] / MediaBox [0 -0,02 766,55 1062,48] >> endobj 73 0 obj >>> / Содержание [416 0 R 417 0 R 418 0 R] / MediaBox [0 0 754,3 1038] >> endobj 74 0 объект >>> / Содержание [420 0 R 421 0 R 422 0 R] / MediaBox [0 -0,01 767,5 1028,64] >> endobj 75 0 obj >>> / Содержание [424 0 R 425 0 R 426 0 R] / MediaBox [0 0,01 750,25 1054,56] >> endobj 76 0 obj >>> / Содержание [428 0 R 429 0 R 430 0 R] / MediaBox [0 0 773.75 1046.4] >> endobj 77 0 obj >>> / Содержание [432 0 R 433 0 R 434 0 R] / MediaBox [0 0 764.65 1033.2] >> endobj 78 0 obj >>> / Contents [436 0 R 437 0 R 438 0 R] / MediaBox [0 0,02 740,65 1030,32] >> endobj 79 0 obj >>> / Contents [440 0 R 441 0 R 442 0 R] / MediaBox [0 -0,01 763.45 1029.84] >> endobj 80 0 obj >>> / Contents [444 0 R 445 0 R 446 0 R] / MediaBox [0 -0.02 788.4 1036.08] >> endobj 81 0 obj >>> / Contents [448 0 R 449 0 R 450 0 R] / MediaBox [0 0 752.4 1038] >> endobj 82 0 obj >>> / Contents [452 0 R 453 0 R 454 0 R] / MediaBox [0 0 775.2 1066.8] >> endobj 83 0 obj >>> / Contents [456 0 R 457 0 458 рандов 0 р] / MediaBox [0 0,01 759,85 1030,56] >> endobj 84 0 obj >>> / Contents [460 0 R 461 0 R 462 0 R] / MediaBox [0 -0,01 752,65 1050,24] >> endobj 85 0 obj >>> / Contents [464 0 руб. 465 0 R 466 0 R] / MediaBox [0 0,02 767,3 1050,72] >> endobj 86 0 obj >>> / Содержание [468 0 R 469 0 R 470 0 R] / MediaBox [0 -0,01 757.7 1052.64] >> endobj 87 0 obj >>> / Содержание [472 0 R 473 0 R 474 0 R] / MediaBox [0 0 752,4 1038] >> endobj 88 0 obj >>> / Содержание [476 0 R 477 0 R 478 0 R] / MediaBox [0 -0,01 752,65 1037,04] >> endobj 89 0 obj >>> / Содержание [480 0 R 481 0 R 482 0 R] / MediaBox [0 0,01 744,25 1029,36] >> endobj 90 0 obj >>> / Содержание [484 0 R 485 0 R 486 0 R] / MediaBox [0 -0,02 742,1 1022,88] >> endobj 91 0 obj >>> / Contents [488 0 R 489 0 R 490 0 R] / MediaBox [0 -0,01 773.75 1040.64] >> endobj 92 0 obj >>> / Содержание [492 0 R 493 0 R 494 0 R] / MediaBox [0 0,02 738 1030,32] >> endobj 93 0 obj >>> / Contents [496 0 R 497 0 R 498 0 R] / MediaBox [0 -0,02 757,7 1043,28] >> endobj 94 0 obj >>> / Contents [500 0 R 501 0 R 502 0 R] / MediaBox [0 0,02 737,05 1050,72] >> endobj 95 0 obj >>> / Contents [504 0 R 505 0 R 506 0 R] / MediaBox [0 -0,02 768,7 1027,68] >> endobj 96 0 obj >>> / Contents [508 0 руб. 509 0 руб. 510 0 R] / MediaBox [0 0.02 737.05 1050.72] >> endobj 97 0 obj >>> / Contents [512 0 R 513 0 R 514 0 R] / MediaBox [0 -0.01 744.7 1022.64] >> endobj 98 0 obj >>> / Содержание [516 0 R 517 0 R 518 0 R] / MediaBox [0 -0,01 735,35 1028,64] >> endobj 99 0 obj >>> / Содержание [520 0 R 521 0 R 522 0 R] / MediaBox [0 0,01 752,65 1023,36] >> endobj 100 0 obj >>> / Содержание [524 0 R 525 0 R 526 0 R] / MediaBox [0 0,02 737,05 1030,32] >> endobj 101 0 obj >>> / Содержание [528 0 R 529 0 R 530 0 R] / MediaBox [0 0 743.05 1017,6] >> endobj 102 0 obj >>> / Contents [532 0 R 533 0 R 534 0 R] / MediaBox [0 0 765.6 1038] >> endobj 103 0 obj >>> / Contents [536 0 R 537 0 R 538 0 R] / MediaBox [0 0 733.45 1046.4] >> endobj 104 0 obj >>> / Contents [540 0 R 541 0 R 542 0 R] / MediaBox [0 0,01 761,05 1038,96] >> endobj 105 0 obj >>> / Contents [544 0 R 545 0 R 546 0 R] / MediaBox [0 0,02 731,5 1045,92] >> endobj 106 0 obj >>> / Содержание [548 0 549 руб. 0 550 0 руб.] / MediaBox [0 0,01 765.6 1047.36] >> endobj 107 0 obj >>> / Содержание [552 0 R 553 0 R 554 0 R] / MediaBox [0 0,02 756,95 1054,32] >> endobj 108 0 obj >>> / Contents [556 0 R 557 0 R 558 0 R] / MediaBox [0 0,02 773,3 1054,32] >> endobj 109 0 obj >>> / Contents [ 560 0 руб. 561 0 руб. 562 0 R] / MediaBox [0 -0,02 755,3 1036,08] >> endobj 110 0 obj >>> / Contents [564 0 R 565 0 R 566 0 R] / MediaBox [0 0,01 766,8 1047,36] >> endobj 111 0 obj >>> / Содержание [568 0 R 569 0 руб. 570 0 руб.] / MediaBox [0 0 823.7 1126.8] >> endobj 112 0 obj >>> / Содержание [572 0 R 573 0 R 574 0 R] / MediaBox [0 0,02 780 1015.92] >> endobj 113 0 obj >>> / Содержание [576 0 R 577 0 R 578 0 R] / MediaBox [0 0,01 765,6 1028,16] >> endobj 114 0 obj >>> / Содержание [580 0 R 581 0 R 582 0 R] / MediaBox [0 0,02 792,5 1059,12] >> endobj 115 0 obj >>> / Contents [584 0 R 585 0 R 586 0 R] / MediaBox [0 0,02 766,8 1043,52] >> endobj 116 0 obj >>> / Contents [588 0 R 589 0 R 590 0 R] / MediaBox [0 0.01 779.5 1046.16] >> endobj 117 0 obj >>> / Contents [592 0 R 593 0 R 594 0 R] / MediaBox [0 -0.02 791.75 1042.08] >> endobj 118 0 obj >>> / Contents [596 0 R 597 0 R 598 0 R] / MediaBox [0 -0,02 779,5 1070,88] >> endobj 119 0 obj >>> / Contents [600 0 R 601 0 R 602 0 R] / MediaBox [0 -0,02 795,85 1050,48] >> endobj 120 0 obj >>> / Содержание [604 0 R 605 0 R 606 0 R] / MediaBox [0 0,02 785,5 1054,32] >> endobj 121 0 obj >>> / Содержание [608 0 R 609 0 R 610 0 R] / MediaBox [0-0.01 764.9 1039.44] >> endobj 122 0 obj >>> / Содержание [612 0 R 613 0 R 614 0 R] / MediaBox [0 0,02 771,35 1054,32] >> endobj 123 0 obj >>> / Содержание [616 0 R 617 0 R 618 0 R] / MediaBox [0 -0,02 781,45 1042,08] >> endobj 124 0 obj >>> / Contents [620 0 R 621 0 R 622 0 R] / MediaBox [0 -0,02 761,5 1027,68] >> endobj 125 0 obj >>> / Contents [624 0 R 625 0 R 626 0 R] / MediaBox [0 0,01 767.05 1025.76] >> endobj 126 0 obj >>> / Contents [628 0 R 629 0 R 630 0 R] / MediaBox [0 0.01 758.9 1060.56] >> endobj 127 0 obj >>> / Contents [632 0 R 633 0 R 634 0 R] / MediaBox [0 0,01 773,3 1031,76] >> endobj 128 0 obj >>> / Contents [636 0 R 637 0 R 638 0 R] / MediaBox [0 -0,01 779,5 1035,84] >> endobj 129 0 obj >>> / Contents [640 0 р 641 0 R 642 0 R] / MediaBox [0 0 762,95 1044] >> endobj 130 0 obj >>> / Contents [644 0 R 645 0 R 646 0 R] / MediaBox [0 -0,01 761,5 1049,04] >> endobj 131 0 obj >>> / Содержание [648 0 R 649 0 R 650 0 R] / MediaBox [0 0.