«Детская школа искусств» Мошенского муниципального района

Решебник по кристаллохимии: Access to this page has been denied.

Преподаватели Кристаллохимия | Отзывы | Учебные материалы | Химфак МГУ

Рейтинг: 3.0

Рейтинг: 5.0

Рейтинг: 5.0

Рейтинг: 5.0

Рейтинг: 3.67

Рейтинг: 4.29

  • К контрольным
    • Пособие для подготовки к контрольным. Часть 2.
    • Пособие для подготовки к контрольным. Часть 1.
    • Пособие для подготовки к контрольным. Часть 3.
  • К экзамену
    • Что надо знать к экзамену по кристаллохимии
    • Словохотов Ю.Л. — Материалы по курсу кристаллохимии. Часть 1.
    • Богдан Т.В. — Основы рентгеновской дифрактометрии
    • Программа к экзамену по кристаллохимии
    • Словохотов Ю.Л. — Материалы по курсу кристаллохимии. Часть 2.
    • Вопросы для подготовки к экзамену по кристаллохимии
  • Контрольные работы по кристаллохимии
    • Консультация к 3-й контрольной.pdf
    • Консультация к 3-й контрольной.ppt
    • Контрольная 3
    • Контрольная 1
    • Контрольная 2
    • Контрольные и самостоятельные работы по кристаллохимии
  • Лекции по кристаллохимии
    • Словохотов Ю. Л. — Лекции по кристаллохимии
  • Полезные материалы
    • Конспекты лекций по кристаллохимии
    • Компактные бинарные структуры
    • Джентльменский набор
    • Джентльменский набор (модифицированный и дополненный)
    • Таблица кристаллических структур
    • Вопросы и ответы по кристаллохимии, 2002
    • Описание некоторых простых кристаллических структур (джентльменский набор)
    • Полезные таблицы по кристаллохимии
    • Вопросы и ответы по кристаллохимии, 2001
  • Учебники
    • Бокий Г. Б. — Кристаллохимия
    • Порай-Кошиц М.А. — Основы структурного анализа химических соединений
    • Зоркий П.М. — Симметрия молекул и кристаллических структур
    • Зоркий П.М. — Задачник по кристаллохимии и кристаллографии
    • Hann Theo — International Tables For Crystallography. Volume A. Space-group Symmetry.
    • Кребс Г. — Основы кристаллохимии неорганических соединений
    • Урусов В.С. — Теоретическая кристаллохимия
    • Вест А. — Химия твёрдого тела в 2-х частях

Предмет и задачи кристаллохимии.

Кристаллохимия — наука о кристаллических структурах и их связи с природой вещества. Кристаллохимия изучает пространственное расположение и химическую связь атомов в кристаллах, а также зависимость физических и химических свойств кристаллических веществ от их строения. Будучи разделом химии, кристаллохимия тесно связана с кристаллографией. Источником экспериментальных данных о кристаллических структурах являются главным образом рентгеноструктурный анализ, структурная электронография и нейтронография, с помощью которых определяют абсолютные величины межатомных расстояний и углы между линиями химических связей (валентные углы). Кристаллохимия располагает обширным материалом о кристаллических структурах десятков тысяч химических веществ, включая такие сложные объекты, как белки и вирусы. Подсостоянию на 1 января 2009 года установлена кристаллическая структура примерно 425 тысяч соединений, из них около 200 тысяч (42 %) составляют органические соединения (остальные — неорганические).

Основные задачи кристаллохимии: систематика кристаллических структур и описание наблюдающихся в них типов химической связи; интерпретация кристаллических структур (выяснение причин, определяющих строение того или иного кристаллического вещества) и их предсказание; изучение связи физических и химических свойств кристаллов с их структурой и характером химической связи.

Кристаллохимия появилась вместе с рентгеновским методом определения структур кристаллов. Идея метода была предложена Лауэ, в честь которого дифракционная картина пучка с непрерывным спектром называется лауэграммой. Первые расшифровки структур были сделаны отцом и сыном Брэггами. В дальнейшем они сделали выдающийся вклад в развитие науки о кристаллических структурах, за что удостоились Нобелевской премии. Как самостоятельная наука кристаллохимия оформилась в 20-х годах 20-го века.

Большой вклад в науку о кристаллических структурах внёс Полинг, советские ученые Белов, Урусов, Стручков и многие другие.

3.Сущность РСА. Характеристика используемого рентгеновского излучения.

Рентгеноструктурный анализ это метод исследования строения тел, использующий явление дифракции рентгеновских лучей, метод исследования структуры вещества по распределению в пространстве и интенсивностям рассеянного на анализируемом объекте рентгеновского излучения.

Дифракционная картина зависит от длины волны используемых рентгеновских лучей и строения объекта. Для исследования атомной структуры применяют излучение с длиной волны 1Å, т.е. порядка размеров атома.

Методами рентгеноструктурного анализа изучают металлы, сплавы, минералы, неорганические и органические соединения, полимеры, аморфные материалы, жидкости и газы, молекулы белков, нуклеиновых кислот и т.д. Рентгеноструктурный анализ является основным методом определения структуры кристаллов. При исследовании кристаллов он даёт наибольшую информацию. Это обусловлено тем, что кристаллы обладают строгой периодичностью строения и представляют собой созданною самой природой дифракционную решётку для рентгеновских лучей. Однако он доставляет ценные сведения и при исследовании тел с менее упорядоченной структурой, таких, как жидкости, аморфные тела, жидкие кристаллы, полимеры и другие. На основе многочисленных уже расшифрованных атомных структур может быть решена и обратная задача: по рентгенограмме поликристаллического вещества, например легированной стали, сплава, руды, лунного грунта, может быть установлен кристаллический состав этого вещества, то есть выполнен фазовый анализ.

В ходе рентгеноструктурного анализа исследуемый образец помещают на пути рентгеновских лучей и регистрируют дифракционную картину, возникающую в результате взаимодействия лучей с веществом. На следующем этапе исследования анализируют дифракционную картину и расчётным путём устанавливают взаимное расположение частиц в пространстве, вызвавшее появление данной картины.

Рентгеноструктурный анализ кристаллических веществ распадается на два этапа.

  1. Определение размеров элементарной ячейки кристалла, числа частиц (атомов, молекул) в элементарной ячейке и симметрии расположения частиц (так называемой пространственной группы). Эти данные получают путём анализа геометрии расположения дифракционных максимумов.

  2. Расчёт электронной плотности внутри элементарной ячейки и определение координат атомов, которые отождествляются с положением максимумов электронной плотности. Эти данные получают анализом интенсивности дифракционных максимумов.

Рентге́новское излуче́ние — электромагнитные волны, энергия фотонов которых лежит на шкале электромагнитных волн между ультрафиолетовым излучением и гамма-излучением, что соответствует длинам волн от 10−2 до 103Å (от 10−12 до 10−7м).[1]

Энергетические диапазоны рентгеновского излучения и гамма-излучения перекрываются в широкой области энергий. Оба типа излучения являются электромагнитным излучением и при одинаковой энергии фотонов — эквивалентны. Терминологическое различие лежит в способе возникновения — рентгеновские лучи испускаются при участии электронов (либо в атомах, либо свободных) в то время как гамма-излучение испускается в процессах девозбужденияатомных ядер. Фотоны рентгеновского излучения имеют энергию от 100 эВ до 250 кэВ, что соответствует излучению с частотой от 3×10

16 Гц до 6×1019 Гц и длиной волны 0,005 — 10 нм(общепризнанного определения нижней границы диапазона рентгеновских лучей в шкале длин волн не существует).

Схематическое изображение рентгеновской трубки. X — рентгеновские лучи, K — катод, А — анод (иногда называемый антикатодом), С — теплоотвод,

Uh — напряжение накала катода, Ua — ускоряющее напряжение, Win — впуск водяного охлаждения, Wout — выпуск водяного охлаждения.

Рентгеновские лучи возникают при сильном ускорении заряженных частиц (тормозное излучение), либо при высокоэнергетических переходах в электронных оболочках атомов или молекул. Оба эффекта используются в рентгеновских трубках. Основными конструктивными элементами таких трубок являются металлические катод и анод (ранее называвшийся также антикатодом). В рентгеновских трубках электроны, испущенные катодом, ускоряются под действием разности электрических потенциалов между анодом и катодом (при этом рентгеновские лучи не испускаются, так как ускорение слишком мало) и ударяются об анод, где происходит их резкое торможение. При этом за счёт тормозного излучения происходит генерация излучения рентгеновского диапазона, и одновременно выбиваются электроны из внутренних электронных оболочек атомов анода. Пустые места в оболочках занимаются другими электронами атома. При этом испускается рентгеновское излучение с характерным для материала анода спектром энергий (характеристическое излучение, частоты определяются законом Мозли: где Z — атомный номер элемента анода, A и B — константы для определённого значения главного квантового числа n электронной оболочки). В настоящее время аноды изготавливаются главным образом из керамики, причём та их часть, куда ударяют электроны, — из молибдена или меди.

В процессе ускорения-торможения лишь около 1% кинетической энергии электрона идёт на рентгеновское излучение, 99% энергии превращается в тепло.

Ускорители частиц

Рентгеновское излучение можно получать также и на ускорителях заряженных частиц. Так называемое синхротронное излучение возникает при отклонении пучка частиц в магнитном поле, в результате чего они испытывают ускорение в направлении, перпендикулярном их движению. Синхротронное излучение имеет сплошной спектр с верхней границей. Присоответствующим образом выбранных параметрах (величина магнитного поля и энергия частиц) в спектре синхротронного излучения можно получить и рентгеновские лучи.

Handbook of Crystal Growth, Volume 3A-3B

Select country/regionUnited States of AmericaUnited KingdomAfghanistanÅland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBonaire, Sint Eustatius and SabaBosnia and HerzegovinaBotswanaBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBritish Virgin IslandsBruneiBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCanary IslandsCape VerdeCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongoCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzech RepublicDemocratic Republic of the CongoDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland Islands (Malvinas)Faroe IslandsFederated States of MicronesiaFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuernseyGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle of ManIsraelItalyJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKuwaitKyrgyzstanLaoLatviaLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLuxembourgMacaoMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNiueNorfolk IslandNorth KoreaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRéunionRomaniaRwandaSaint BarthélemySaint HelenaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint Martin (French part)Saint Pierre and MiquelonSaint Vincent and the GrenadinesSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint Maarten (Dutch part)SlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia and the South Sandwich IslandsSouth KoreaSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard and Jan MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTimor LesteTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUruguayUS Virgin IslandsUzbekistanVanuatuVatican CityVenezuelaVietnamWallis and FutunaWestern SaharaYemenZambiaZimbabwe

Варианты покупки

Бандл (хард -переплет, электронная книга) 50% скин.

Бесплатная доставка по всему миру

Минимальный заказ отсутствует

Описание

Том IIIA Основные методы. Справочник по выращиванию кристаллов, второе издание. технология, связанная с эпитаксиальным ростом, а также выделение многих основных и развивающихся областей эпитаксиального роста. Том IIIA посвящен основным методам выращивания, которые используются как в научных исследованиях процессов роста кристаллов, так и в коммерческих разработках передовых эпитаксиальных структур. Представлены методы, основанные на вакуумном осаждении, парофазной эпитаксии, жидкофазной и твердофазной эпитаксии, а также новые методы разработки трехмерных нано- и микроструктур. В томе IIIB (Материалы, процессы и технологии) под редакцией эксперта по химической и биологической инженерии Томаса Ф. Куэча описаны как конкретные методы эпитаксиального роста, так и ряд процессов роста, характерных для материалов. Том начинается с представления вариантов процесса эпитаксиального роста, где кинетические процессы используются для разработки новых типов материалов при низких температурах. Обсуждаются оптические и физические характеристики эпитаксиальных пленок как для in situ, так и для выхода к характеристике эпитаксиальных материалов. В оставшейся части тома представлены как процессы эпитаксиального роста, связанные с ключевыми технологическими материалами, так и уникальные структуры, такие как монослойные и двумерные материалы.

Основные характеристики

Том IIIA Основные методы

  • Содержит введение в основные процессы эпитаксиального роста и основные научные концепции, используемые для понимания и разработки новых процессов.
  • Представляет новые методы и технологии для разработки трехмерных структур, таких как квантовые точки, нанопроволоки, стержни и структурированный рост
  • Вводит и использует основные концепции термодинамики, переноса и широкого спектра кинетических процессов, которые сформировать текст атомного уровня процесса роста

Том IIIB «Материалы, процессы и технологии»

  • Описывает эпитаксиальное осаждение на атомном уровне и другие методы низкотемпературного роста
  • Представляет как развитие термических потоков, так и потоков с несогласованной решеткой в ​​качестве методов, используемых для характеристики структурных свойств этих материалов
  • Представляет подробное обсуждение методов эпитаксиального роста, связанных с силиконовыми материалами на основе силикона, составными полупроводниками, полупроводниковыми нитридами и тугоплавкими материалами

 

Читательская аудитория

Ученые и инженеры с различным (академическим/промышленным) образованием, включая специалистов по выращиванию кристаллов, физиков, химиков, инженеров, биоинженеров, специалистов по твердому телу, материаловедов, геологов и т. д.

Содержание

  • Общее предисловие
    Предисловие к тому III
    Список участников
    Часть A. Основные методы
    1. Эпитаксия энергетических материалов
    1.1. Введение
    1.2. Эпитаксиальные методы
    1.3. Эпитаксиальные процессы для высокоэффективных солнечных элементов AIIIBV 90–60 1.4. Тонкопленочные кремниевые солнечные элементы
    1.5. Слои германия на стекле
    1.6. Эпитаксиальные процессы для термофотоэлектрических устройств
    2. Гидридная парофазная эпитаксия для токов III–V и нитридных полупроводниковых соединений Проблемы
    2.1. Введение
    2.2. Обзор процесса HVPE
    2.3. Морфологически контролируемый рост в микрометровом и субмикрометровом масштабе
    2.4. HVPE Рост NW
    2.5. Вывод
    3. Наука и практика газофазной эпитаксии металлоорганических соединений (МОГФЭ)
    3.1. Введение
    3.2. Наука MOVPE — фундаментальные аспекты
    3.3. Роль примесей
    3.4. Соображения по системе роста
    3. 5. Выводы 90–60 4. Принципы молекулярно-лучевой эпитаксии 90–60 4.1. Введение
    4.2. Описание оборудования МЛЭ
    4.3. Процесс роста MBE
    4.4. III-V Сплав Рост
    4.5. Легирование материалов AIIIBV
    4.6. Рост сильно несоответствующих сплавов
    4.7. Резюме
    5. Молекулярно-лучевая эпитаксия с газовыми источниками
    5.1. Введение
    5.2. Система роста MBE
    5.3. Рост GSMBE для полупроводников III–V
    5.4. Рост MOMBE/CBE для полупроводников III–V
    5.5. Резюме
    6. Жидкофазная эпитаксия
    6.1. Введение
    6.2. Историческая перспектива
    6.3. Моделирование фазовых равновесий
    6.4. Допинг и контроль примесей
    6.5. Движущие силы роста кристаллов в LPE
    6.6. Подготовка поверхности подложки для LPE
    6.7. Инструментарий LPE, контроль и анализ на месте
    6.8. Конвекция расплава
    6.9. Гетероэпитаксия
    6.10. Механизмы роста ЖФЭ и слои с атомарно-гладкими поверхностями 90–60 6.11. Квантовые ямы, сверхрешетки и наноструктуры по LPE
    6. 12. Рост толстых тройных и четверных слоев сплава для «виртуальных» подложек с регулируемыми параметрами решетки
    6.13. Селективная эпитаксия и эпитаксиальное латеральное разрастание 90–60 6.14. ЖФЭ для выращивания формованных кристаллов
    6.15. Кремний и SiGe LPE и рост решений с основными приложениями к солнечным элементам
    6.16. Карбид кремния LPE
    6.17. III-V нитрид LPE
    6.18. Заключение и перспективы
    7. Твердофазная эпитаксия
    7.1. Введение и общая информация
    7.2. Экспериментальные методы
    7.3. Твердофазная эпитаксия в Si и Ge 90–60 7.4. Атомистические модели
    7.5. Дефекты, образующиеся при твердофазной эпитаксии 90–60 7.6. Диффузия и сегрегация примесей при твердофазной эпитаксии 90–60 7.7. ТФЭ в других полупроводниках
    7.8. Резюме
    8. Импульсное лазерное осаждение (PLD)
    8.1. Типичные экспериментальные установки PLD
    8.2. Физико-химия PLD
    8.3. Применение PLD к различным материалам
    8.4. Родственные технологии осаждения
    9. Парожидкостный рост полупроводниковых нанопроволок
    9.1. Введение
    9.2. VLS выращивание Si Nanowires
    9.3. VLS-рост нанопроволок III–V 90 060 10. Селективный рост замаскированных участков (от нано до микро) 90 060 10.1. Введение
    10.2. Методология SAG
    10.3. Применение выборочного зонального маскированного роста
    10.4. Резюме
    11. Органическая ван-дер-ваальсова эпитаксия по сравнению с шаблонным ростом с помощью органо-органической гетероэпитаксии
    11.1. Органическая эпитаксия Ван-дер-Ваальса
    11.2. Шаблонный рост методом органо-органической гетероэпитаксии
    12. Эпитаксия малых органических молекул
    12.1. Введение
    12.2. Структура интерфейсов органических малых молекул
    12.3. Термодинамика и кинетика органической эпитаксии
    12.4. Методы эпитаксиального выращивания органических молекулярных кристаллов
    12.5. Характеристика органических молекулярных гетероструктур 90–60 12.6. Заключение
    13. Эпитаксиальный рост оксидных пленок и наноструктур
    13. 1. Введение
    13.2. Рост тонких оксидных пленок
    13.3. Эпитаксиальные оксидные наноструктуры на основе литографии
    13.4. Темплатный синтез и осаждение оксидных наноструктур
    13.5. Трехмерное осаждение оксидных наноструктур
    13.6. Самособирающиеся нанокомпозитные оксидные пленки
    13.7. Резюме
    14. Эпитаксия материалов на основе углерода: тонкая алмазная пленка
    14.1. Введение
    14.2. Гомоэпитаксия алмаза
    14.3. Гетероэпитаксия алмаза
    14.4. Резюме и выводы
    15. Магнитные полупроводники
    15.1. Введение
    15.2. III–V Магнитные полупроводники
    15.3. Прочие магнитные полупроводники и родственные материалы
    15.4. Резюме
    16. MOCVD нитридов
    16.1. Введение
    16.2. Понимание роста нитридов с помощью MOCVD
    16.3. Резюме
    17. Молекулярно-лучевая эпитаксия нитридов для перспективных электронных материалов
    17.1. Введение
    17.2. Аппарат для нитрида MBE
    17.3. PAMBE Рост передовых электронных нитридных материалов
    17. 4. Рост МЛЭ с аммиаком
    18. Эпитаксиальный графен
    18.1. Введение
    18.2. Предварительные сведения: структура полосы
    18.3. Синтез графена на SiC
    18.4. Обзор синтеза графена на SiC
    18.5. Практическая информация по синтезу и свойствам графена
    18.6. Формование на Si-Face
    18.7. Формовка на C-Face
    18.8. Другие подходы к синтезу графена на SiC
    18.9. Outlook
    Часть B. Материалы, процессы и технологии
    19. Химическое осаждение двумерных кристаллов из паровой фазы
    19.1. Введение
    19.2. Химическое осаждение графена из паровой фазы
    19.3. Химическое осаждение из паровой фазы гексагонального нитрида бора
    19.4. Химическое осаждение дисульфида молибдена из паровой фазы
    20. Кинетические процессы при парофазной эпитаксии
    20.1. Введение в термодинамику и кинетику
    20.2. Направление и объем статьи
    20.3. Атомистические процессы, связанные с ростом тонких пленок
    20.4. Заключительные замечания
    21. Металлоорганическая парофазная эпитаксия Химическая кинетика
    21.1. Введение в MOVPE
    21.2. Термохимические аспекты процесса выращивания МОСГФЭ
    21.3. Химико-кинетические процессы в системе МОСГФЭ
    21.4. Кинетика реакций металлоорганических соединений
    21.5. Кинетика реакции соединений группы 15
    21.6. Реакции роста
    21.7. Заключение
    22. Явления переноса в реакторах парофазной эпитаксии
    22.1. Введение
    22.2. Базовый обзор явлений переноса во время парофазной эпитаксии
    22.3. Обзор промышленных технологий VPE и реакторов
    22.4. Эпитаксия кремния
    22.5. Металлоорганическая парофазная эпитаксия материалов AIIIBV
    22.6. Металлоорганическая парофазная эпитаксия III-нитридов
    22.7. Эпитаксия SiC
    22.8. Выводы 90–60 23. Зарождение и поверхностная диффузия в молекулярно-лучевой эпитаксии 90–60 23.1. Введение
    23.2. Основные понятия
    23.3. Межповерхностная диффузия
    23.4. Изготовление и контроль микроструктур
    24. Прогнозируемые тепловые напряжения и напряжения несоответствия решетки
    24.1. Введение
    24.2. Термическое напряжение в вытянутой полосе пленка–подложка 90–60 24.3. Напряжения несоответствия решетки в круглой сборке пленка-подложка
    24.4. Выводы 90–60 25. Низкотемпературные и метаморфические буферные слои 90–60 25.1. Введение
    25.2. Унифицированные буферные слои
    25.3. Ступенчатые буферные слои
    25.4. Линейно-градуированные буферные слои
    25.5. Нелинейные буферы
    25.6. Сверхрешеточные буферы
    25.7. Низкотемпературные буферные слои и двухэтапный рост 90–60 25.8. Вывод
    26. Самосборка в эпитаксии полупроводников: от механизмов роста до приложений
    26.1. Введение
    26.2. Самособирающиеся квантовые точки
    26.3. Системы материалов
    26.4. Структурная характеристика самосборных конструкций
    26.5. Электронные состояния и оптические свойства квантовых точек 900-60 26.6. Устройства, приложения и новая физика
    26.7. Резюме и перспективы
    27. Атомно-слоевое осаждение
    27.1. Тонкие пленки и необходимость точного контроля роста
    27.2. От атомно-слоевой эпитаксии к атомно-слоевому осаждению
    27.3. Основы ALD
    27.4. Материалы, прекурсоры и сореагенты
    27.5. Химия ALD
    27.6. Реакторы ALD
    27.7. Достоинства и практичность ALD
    27.8. Заключение
    28. Эпитаксия карбида кремния
    28.1. Введение
    28.2. Кристаллические структуры SiC
    28.3. Основы эпитаксии SiC
    28.4. Химическое осаждение из паровой фазы
    28.5. Допинг-контроль
    28.6. Протяженные дефекты в эпитаксиальных слоях 4H-SiC
    28.7. Точечные дефекты (глубокие уровни)
    28.8. Быстрая эпитаксия
    28.9. Гомоэпитаксия в других ориентациях
    28.10. Прочие методы
    28.11. Резюме
    29. Характеристика эпитаксии in situ
    29.1. Введение
    29.2. Методы измерения
    29.3. Future Techniques
    30. Рентгеновская и электронная дифракция для эпитаксиальных структур
    30.1. Введение
    30. 2. Принципы дифракции
    30.3. Эпитаксиальный рост и дифракционная характеристика
    30.4. Вывод
    31. Рост соединений III/V на кремнии: нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды
    31.1. Введение
    31.2. Проблемы III/Vs на кремниевой гетероэпитаксии
    31.3. Подготовка поверхности Si
    31.4. Рост почти согласованных с решеткой III/Vs на кремнии
    31.5. Рост сильно несоответствующих III/Vs на кремнии
    31.6. Резюме
    32. Гетероэпитаксиальный рост сплавов на основе Si, Si1-xGex- и Ge
    32.1. Введение
    32.2. Рост кристаллов
    32.3. Деформации, дислокации и дефекты в гетероэпитаксиальных слоях
    32.4. Выводы
    Индекс

Подробная информация о продукте

  • № на страницах: 1382
  • Язык: английский
  • Copyright: © Elsevier 2014
  • . ISBN электронной книги: 9780444633057

О редакторе

Томас Куч

Членство и опыт

Факультет химической и биологической инженерии, Университет Висконсин-Мэдисон, США

Рейтинги и обзоры

Написать отзыв

В настоящее время нет обзоров для «Справочник по выращиванию кристаллов»

Справочник по кристаллическим структурам и магнитным свойствам редкоземельных металлов I

Содержание Описание книги

ISBN 9780367449551

288 страниц

Опубликовано 17 декабря 2019 г. к CRC Press

Бесплатная доставка (7-14 рабочих дней)
варианты доставки

Формат Мягкая обложкаТвердый переплетVitalSource электронная книга

Первоначальная цена £56,99

Цена продажи фунтов стерлингов £ 45,59

КОЛ-ВО

добавить в корзину

Добавить в список желаний

ISBN 9780849342615

288 страниц

Опубликовано 8 марта 1994 г. к CRC Press

Бесплатная доставка (7-14 рабочих дней)
вариантов доставки

Формат Мягкая обложкаТвердый переплетVitalSource электронная книга

Исходная цена £240,00

Цена продажи фунтов стерлингов £ 192,00

КОЛ-ВО

добавить в корзину

Добавить в список желаний

ISBN 9780138719418

288 страниц

Опубликовано 9 июля 2020 г. к CRC Press

Узнайте об электронных книгах VitalSource Открытие всплывающего окна

Также доступно в виде электронной книги:

  • Amazon Kindle открывается в новой вкладке или окне
  • Тейлор и Фрэнсис электронные книги
    (Институциональная покупка)Открывается в новой вкладке или окне

Формат Мягкая обложкаТвердый переплетVitalSource электронная книга

Купить электронную книгу £56,99 45,59 фунтов стерлингов £56,99 Аренда на 6 месяцев 31,35 фунта стерлингов 31,35 фунта стерлингов 31,35 фунта стерлингов Аренда на 12 месяцев 37,05 фунтов стерлингов 37,05 фунтов стерлингов 37,05 фунтов стерлингов

  • Любой соответствующий налог с продаж будет применяться во время оформления заказа.

Добавить комментарий